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问 10个LED灯半导体发光二极管正常发光时的功率是多少瓦
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问 请问 半导体灯 就是 LED灯 吗？如果不是，它们之间有什么区别？
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问 霍尔式传感器是利用霍尔元件的什么制作的半导体磁敏传感器
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问 MQ-3Q气敏传感器是半导体型还是燃料电池型?
899912c3c99b 我正好做这东西，我在网上搜的资料是mq2要有预热电路，然后接分压电路，再接lm324集成运放放大，放大后接ad转换再接单片机。预热要小心加热电阻不要太小，以免烧坏加热电感。我就烧坏一个，预热电流太大了。我是参考下面的电路图做的实物但还没验证呢，因为几乎所有的mq2资料都不给他在空气中的电阻值，我昨晚测量一下1.2m，我都感觉是不是太大了，我现在也犯愁呢。因为mq2在不同的气体的不同ppm下电导率不同，你要根据你要检测何种气体来估计它报警的电阻有多大，这样才能合理选择分压电阻，还要考虑ad能转换多大电压。我选的是adc0809最大不能超过5v。真是麻烦，如果商家能像做ds18b20那样把ad集成在烟雾传感器里就好了。还有你可以选择内部集成有ad的单片机。楼主这只是参考资料，你还要根据你的需要合理设计电路。以上仅供参考……
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问 谁知道半导体指纹传感器的工作原理，尽量详细，本人急要！如果答的好的话，还可以送分！！！
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问 半导体应变片以压阻效应为主，它的灵敏度系数为金属应变片的多少倍
0e28b9b75b9b 半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，最后粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高 50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。
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问 半导体式可燃气体传感器（主要检测甲烷等）的原理和使用方法
0fff6fa4d610 半导体气敏传感器是利用半导体与气体接触后其特性发生变化的机理，把被测气体的成分和浓度等信息转换为电信号的传感器，它由气敏元件和测量电路两部分组成。半导体气敏元件：按照半导体与气体的相互作用主要是仅局限于半导体表面还是涉及到半导体内部，可分为表面控制型和体控制型。按半导体变化的物理特性可分为电阻型和非电阻型两种。传感器的特点包括：微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、网络化。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。传感器的存在和发展，让物体有了触觉、味觉和嗅觉等感官，让物体慢慢变得活了起来。通常根据其基本感知功能分为热敏元件、光敏元件、气敏元件、力敏元件、磁敏元件、湿敏元件、声敏元件、放射线敏感元件、色敏元件和味敏元件等十大类。传感器的特点包括：微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、网络化，它不仅促进了传统产业的改造和更新换代，而且还可能建立新型工业，从而成为21世纪新的经济增长点。微型化是建立在微电子机械系统（MEMS）技术基础上的，已成功应用在硅器件上做成硅压力传感器。
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问 LED的发光源是—PN结，是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？
10cc516cd382 你的问题还挺多，要分开来慢慢解释。1、LED发光：要搞清楚这个问题，首先，你需要了解PN结的形成原理。PN结是一个“由P型和N型半导体材料组成的半导体器件”中，其P 型 与 N型半导体材料相互结合的部分。P型材料有着“多数可以移动的正电荷（空穴）” 和 “少数固定不动的负电荷（负离子）”；N型材料有着“多数可以移动的负电荷（自由电子）” 和 “少数固定不动的正电荷（正离子）”；当P型和N型材料接触时，通过结合处，P型材料中的正电荷向N型材料中扩散，而N型材料中的负电荷则向P型材料中扩散。这些扩散的正电荷 与 负电荷相遇而结合，原有的正电荷和负电荷（载流子）消失。因此在结合处的附近区域（结区）中，有一段距离缺少正电荷或负电荷（载流子），但是在这一区域却分布着带电的固定电荷（固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”），这一区域称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ，N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”，在空间电荷区产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。（内建电场）在上面所述的基础上，就可以理解以下几个问题1、LED的发光，既不是PN结，也不是非PN结，而是当LED接通外部电源后，外来的载流子打破空间电荷区的平衡后产生的。因为空间电荷区有阻力，所以载流子要突破这个区域需要能量，当这个能量积累到一定的程度，载流子就可以由P区进入N区，这个进入的过程也是能量释放的过程，在这个过程中，载流子把电势能转换成了光能和热能。单个载流子所释放出的光能是极其微弱的，并且只是一闪而过，不能持续，所以要想有一个持续而又明亮的发光过程，就必须有一个持续的外部电源以及更多的载流子参与进来。因为这样的一个过程除了发光，同时还在发热，有发热则说明器件在进行有效工作的同时，自身还在产生消耗，这个消耗对器件本身有着老化和破坏的作用，因此，LED的寿命跟制作这个LED的材料还有它的工作环境有关系，通常所述的3万小时寿命是指在实验室的相对理想的环境下达到的，实际使用中没有这么长，甚至会因为过度的电压或电流而导致LED瞬间烧毁。光伏效应：光照并不是去导通PN结，在理解这个问题时，你要确定一点，“光”也是能量的一种形式。当光照射到已形成PN结的半导体材料上面，会让这个半导体材料获得一定的能量，这个能量导致P型和N型半导体材料产生出更多的载流子（空穴和自由电子）。因为在光照前，PN结已经形成，也就是内建电场也已形成，由于内建电场是有方向性的，所以光照形成的载流子（光生载流子），会按照这个方向在内建电场中流动（空穴流向N，自由电子流向P），这一动作导致了内建电场的减小。只要光照是持续的，那么，内建电场最终会小到能让光生载流子轻松的突破PN结，从而产生电流，这个时候，这个被光照的半导体材料就具备了能够对外提供电动势的能力。综上所述，在一个拥有PN结的半导体器件中，非PN结部分最大的作用就是产生PN结，只有PN结形成后，这个器件才能拥有上述光照或光电转换的功能。因此，PN结不存在“消耗完”这个概念，只要相结合的P型材料和N型材料还在，这个PN结会永远的存在下去，我们只是利用外力来突破这个PN结，从而达到我们需要的目的。至于半导体器件的寿命，这跟制造半导体器件的材料构成、制造工艺以及使用环境有关，厂商给出的寿命都是在特定的实验室环境下通过测试和推算得出的。（就好像一团泥巴，你用特定的水流量来冲击他，冲击时间是1分钟，完成后，这团泥巴被水冲掉了十分之一的重量，那么推算一下，这团泥巴在这个特定的水流量下，也许可以经受住10分钟的冲击，那我就说他在这个状态下的寿命是10分钟）
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问 在21世纪里，半导体发光元件在我们生活中以及以后的发展中，会起到多大的作用？
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问 普通半导体光电二极管如何制作太阳能电池,发电量是多少?
洪侠飞 
4条回答
匿名 
阳光夏日 
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