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问 led灯是半导体还是绝缘体
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问 硅导电么？ 半导体又是这么一回事？
ec583af2aae8 1、硅导电，硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。2、半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。扩展资料：硅的物理性质：有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。半导体：最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。参考资料来源：搜狗百科——半导体参考资料来源：搜狗百科——硅
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问 半导体光电是中文核心期刊吗?
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问 半导体的光电流大说明材料的什么性能
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问 谁知道这个欧司朗光电半导体主是做什么的？
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问 半导体发光二极管的器件特性
2de170781571 ①输出光功率与电流和温度的关系，如图3所示。对表面出光器件，在驱动电源较小时，输出功率随电流线性增大，电流较大时变为亚线性，量子效率也随之降低，这是发热温升引起的。超辐射二极管因存在相当大的增益，使器件存在很强的超线性行为，温度敏感性随增益提高而增强；②光谱特性，表面发光的LED光谱属自发辐射谱。发射波长为0.85μm的GaAlAs（镓铝砷）器件，光谱宽度约为40nm。1.3μm的InGaAsP（铟镓砷磷）器件为ll0nm。端面出光LED，由于沿有源区长度方向的自吸收，谱宽比面出光LED窄，对超辐射二极管，光增益的出现使光谱进一步变窄；③输出功率和调制带宽，影响LED输出功率和调制带宽的因素有界面非辐射复合，自吸收和载流子漏泄等。这些因素又与器件参数有关，诸如掺杂浓度、少数载流子扩散长度、吸收系数、有源层厚度，双异质结中有源层与限制层的带隙能量差和注入电流密度等，这些参数又是相关的。调制带宽与输出功率呈倒数关系，对特定的材料和工艺水平其功率与带宽乘积也不同。
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问 半导体的光电导受哪些因素的影响
7b9bfc34a315 半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电导应用于研究半导体中的杂质缺陷态，如施主、受主、缺陷、深能级杂质等在禁带中的能级位置（见半导体物理学），它的灵敏度比通常的光吸收实验高许多，电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE（禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离），也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ。http://ic.big-bit.com/
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问 半导体光源的工作原理及涉及的器件有哪些?
94ec3debee0f 音频信号光纤传输实验光纤在通讯领域、传感技术及其他信号传输技术中显示了愈来愈广泛的用途，也显示了其愈来愈重要的地位。随之而来的电光转换和光电转换技术、耦合技术、光传输技术等，都是光纤传输技术及器件构成的重要成分。对于不同频率的信号传输和传输的频带宽度，上述各种技术有很大的差异，构成的器件也具有不同的特性。通过实验了解这些特性及其对信息传输的影响，有助于在科研与工程中恰当地使用这一信号传输技术。一、实验目的1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。二、实验仪器FD-OFT-A型音频信号光纤传输实验仪实验主机（包括音频信号发生器、光功率计、LED放射器、SPD接收器等）、多模光纤（装于骨架上），半导体收音机，示波器组成三、实验原理1. 音频信号光纤传输系统的原理传输系统由逗光信号发送器地、逗光信号接受器地和逗传输光纤地三部分组成。其原理主要是：先将待传输的音频信号作为源信号供给逗光信号发送器地，从而产生相应的光信号，然后将此光信号经光纤传输后送入逗光信号接受器地，最终解调出原来的音频信号。为了保证系统的传输损耗低，发光器件LED的发光中心波长必须在传输光纤的低损耗窗口之内，使得材料色散较小。低损耗的波长在850nm，1300nm或1600nm附近。本仪器LED发光中心波长为850nm，光信号接受器的光电检测器峰值响应波长也与此接近。为了避免或减少波形失真，要求整个传输系统的频带宽度能覆盖被传输信号的频率范围。由于光纤对光信号具有很宽的频带，故在音频范围内，整个系统频带宽度主要决定于发射端的调制信号放大电路和接收端的功放电路的幅频特性。2. 半导体发光二极管LED的结构和工作原理光纤通讯系统中对光源器件在发光波长、电光功率、工作寿命、光谱宽度和调制性能等许多方面均有特殊要求，所以不是随便哪种光源器件都能胜任光纤通讯的任务，目前在以上各方面都能较好满足要求的光源器件主要有半导体发光二极管（light emitting diode，缩写LED）和半导体激光器（Laser Diode，缩写LD）。以下主要介绍发光二极管。半导体发光二极管是低速短距离光通信中常用的非相干光源，它是如图3所示的N-P-P三层结构的半导体器件，中间层通常是由直接带隙的GaAs砷化镓P型半导体材料组成，称为有源层，其带隙宽度较窄，两侧分别由AlGaAs的N型和P型半导体材料组成，与有源层相比，它们都具有较宽的带隙。具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结，中，有源层与左侧的N层之间形成的是P-N异质结，而与右侧P层之间形成的是P-P异质结，所以这种结构又称为N-P-P双异质结构，简称DH结构。当在N-P-P双异质结两端加上偏压时，就能使N层向有源层注入导电电子，这些导电电子一旦进入有源层后，因受到P-P异质结的的阻挡作用不能再进入右侧P层，它们只能被限制在有源层内与空穴复合，同时释放能量产生光子，发出的光子满足以下关系：
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问 高压电缆里的半导体有什么用
257dc8bc2bcc 电缆结构上 的 所谓“屏蔽”，实质上是一种改善电场分布 的 措施。 电缆 导体由多根导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙，导体表面不光滑，会造成电场集中。在导体表面加一层半导电材料 的 屏蔽层，它与被屏蔽 的 导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层；同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电 的 因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料 的 屏蔽层，它与被屏蔽 的 绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层；没有金属护套 的 挤包绝缘 电缆 ，除半导电屏蔽层外，还要增加用铜带或铜丝绕包 的 金属屏蔽层，这个金属屏蔽层 的 作用，在正常运行时通过电容电流；当系统发生短路时，作为短路电流 的 通道，同时也起到屏蔽电场 的 作用。可见，如果 电缆 中这层外 半导体 层和铜屏蔽不存在，三芯 电缆 中芯与芯之间发生绝缘击穿 的 可能性非常大。参考资料：百度知道
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问 高压电缆的半导体用途
f54994150144 高压电缆的结构相对普通布电线要复杂，质量要求很严格，价格要昂贵。 一般的电力电缆结构有导体芯线、绝缘层、金属屏蔽层、外护层等基本结构。高压电缆的结构在金属屏蔽层内外还要增加内半导电层和外半导电层，护套层也由金属护套、绝缘护套、石墨层组成。 电力电缆设计是不承受外力力，要求有托架、支架、管道等支承电缆。 导体芯线做成多股绞线的原因主要有两个。 一是增加导体的柔软性，便于电缆的随意敷设。导体的金属是铜和铝，当导线直径稍大的时候就比较硬，好象是金属棒很难弯曲，不便于电缆的敷设，还常常因为导线损伤而出现电缆断线故障或者似断非断故障。 二是电流具有趋肤效应。同样数量的金属导体，多股绞线比单根导线流过电流的能力大大提高，这是多股绞线的表面积比单股的表面积要大得多的原因。 所以为了使电缆柔软，为了使电缆通过电流的能力更大，所以电缆的导体芯线就必须做成多股绞线。
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