- 问答
-
问 老蓝鸟车的闪光器在什么位置
-
问 天籁闪光器在车的什么位置
-
问 转向灯闪光器
-
问 请问现代酷派闪光器在哪呢？
-
问 闪光器工作原理
我的资料 闪光灯的工作原理----------------------------------------------------------------------------一、普通型闪光灯的基本工作电路普通型闪光灯是指闪光输出的能量是不可调的闪光灯，即闪光灯的标称闪光指数GN为一恒定值。电路由四部分组成：振荡升压部分、整流充电部分、电压指示部分和脉冲触发闪光部分。当电源接通后，利用晶体管V1的开关特性，形成一个间歇振荡，使T1的初级获得一个交变电压，经T1升压，使其次级获得大于300V的交变电压。交变电压经二极管D1半波整流后变成直流电压，对主电容C2和触发电容C3充电储能。当电压充至额定电压的70%左右时，指示电路中的氖灯（Ne）起辉，指示闪光灯处于正常闪光等待状态。当按下按钮AN，触发电路（由R3、C3、T2和Xe组成）产生脉冲电压，在T2的次级感应出瞬间高压（约10kV）脉冲，通过Xe闪光管的触发极使Xe闪光管内氮气电离并导通，电容C2上储存的电能瞬间通过闪光灯管放电转化为光能，完成一次闪光。照相机中的内藏闪光灯的工作原理同上。当外界景物的亮度不足时，照相机的测光系统便发出一个低照信息，此时用手动方式或由照相机自动接通闪光电路进行充电和闪光。有的照相机还具有自动控制闪光量的系统（自动调光闪光灯），以获得更准确的曝光。二、自动调光式闪光灯的工作原理自动调光式闪光灯的控制框图，见图1-6-8。闪光灯充足电后，照相机上的闪光同步触点接通闪光电路。在闪光灯发光期间，光从闪光灯发出照射到被摄物体上，从被摄物体反射回来进入照相机（进行曝光）和闪光测光元件上。此测光元件很快将光能量变换成电信号输入积分电路，再由积分电路输出一个与闪光光量值成正比的电信号；当闪光光量值达到合适曝光量的要求时，积分电路的输出电信号便使控制电路触发闪光停止电路，从而使闪光灯熄灭。由于闪光灯的持续闪光时间是很短的，要对它进行调光，所用的闪光测光元件必须是具有快速响应能力的光敏元件。自动调光闪光灯的控制方式按其电路结构不同，可分为并联式和串联式两种。在主闪光灯管Xe的两端并联一个泄放管V。主闪光灯管的点燃工作电路与普通型的线路相同。当主闪光灯的发光量达到某个基准值时，通过测光元件接收，积分电路和控制电路触发泄放管将主控制方式中尚未泄放的能量立即泄放，使主闪光管熄灭。并联式自动调光闪光灯的电路结构简单，价格低，应用较多。但因它每次都将主电容未放完的剩余能量全部泄放完，所以再充电时间长，电池的消耗大。串联控制方式是将半导体开关元件晶闸管整流器SCR与主闪光灯串联在在一起，当主闪光灯管输出的光量达到合适曝光的要求时，晶闸管整流器SCR自动切断放电回路，使主闪光灯管立即熄灭，实现自动调光控制。串联控制方式的优点是主电容器中剩余的能量仍保存着，因而可以缩短再充电的时间，电池的消耗也相应减少，有利于快速连闪和循环使用。缺点是电路比较复杂，成本较高。
-
问 测量元器件c-v曲线对于器件的光学特性有什么用
-
问 主板中主要元器件
-
问 CMOS和NMOS器件到底有什么区别?双级型器件和MOS器件呢?
-
问 半导体上的器件用途
c34214335e1a 在半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色 PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。基于PN结,就有了晶体管,才有了集成电路,电子产品中的各种芯片都是集成电路
-
问 电子远器件包括哪些产品？
700ebf6add6f 
1条回答
b8107af24e12 
7886727ae5a1 
0eb75e8c1279 
无为居士 
2e9226f7c888 
0636bde17e26 
9a43fb922216 
