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问什么是几何磁阻效应和物理磁阻效应？？

匿名用户磁阻效应磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。

2023-10-04 1条回答
问用各项异性磁阻效应测量磁场。

MLGB 测量微小磁场比较有效的方法是利用霍尔效应测。霍尔效应磁强计是用利用霍尔效应测量磁感应强度的仪器。原理说明如下：一块导体高为l，厚为d，分别接有a、b、c、d四个电极，将导体放在匀强磁场中，当a、b间通过电流I时，在电极c、d接上灵敏度极高的电压表，可测得两极间的电势差U，由此利用霍尔效应即可求匀强磁场的磁感应强度B。其灵敏度高的原因在于有灵敏度极高的电压表。 ========================================= 我上面说的，实际上也是比较笼统的，其实真正决定要使用什么仪器还有两个很关键的条件： 1、磁场所处的位置和环境，比如说，磁场区域很小的话（微观领域），那根本放不下现成的仪器，那就一般的要使用电子束之类的装置了； 2、磁场究竟弱到什么程度？比如说是与地磁场差不多，还是比地磁场还要弱若干个数量级？如果是这样的话，那霍尔磁强计也是不行的。至于其它测量磁场的仪器，我还知道有利用法拉第旋光效应来测量的。如果是跟地磁场差不多的话，也可用测量磁针偏角（即合磁场方向）来测量的。 ======================================== 原来是1T左右的磁场啊，这是比较强的磁场了！我原先以为最起码也得低于10 的负5次方。这个数量级的磁场应该是最容易测量的了，随便用什么法都可以的。 ======================================== 1mT , 用磁阻传感器测量，可以。=====================================你说“传感器都是一个方向进的。这样误差比较大”，问怎样克服。这个需要知道具体情景，比如说装置可否移动？磁场的情景也要知道，很难笼统的回答。

2023-10-04 1条回答
问霍耳传感器为何有磁阻效应？

匿名用户哈哈哈，如果你搞懂了霍尔效应的原理和磁阻效应的原理这个问题就解决了。磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。严格来说，任何物质都有磁阻效应。霍尔效应就不详述了。只告诉你大概：在垂直磁场中的通电导体，其中的定向移动的电荷必然受到罗论磁力，罗论磁力就使的电荷在电流的垂直方向上产生电荷的不均匀分布而产生的电压就是霍尔电压，这个效应就叫做霍尔效应。。你说有无磁阻？

2023-07-16 1条回答
问霍尔传感器为何有磁阻效应

匿名用户按各种方法设置磁体，将它们和霍尔开关电路组合起来可以构成各种旋转传感器。霍尔电路通电后，磁体每经过霍尔电路一次，便输出一个电压脉冲。霍尔传感器的工作原理：霍尔电流传感器是根据霍尔原理制成的。它有两种工作方式，即磁平衡式和直式。霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、（次级线圈）和放大电路等组成。直放式电流传感器（开环式）众所周知，当电流通过一根长导线时，在导线周围将产生一磁场，这一磁场的大小与流过导线的电流成正比，它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出。这一信号经信号放大器放大后直接输出，一般的额定输出标定为4V。 3.2 磁平衡式电流传感器（闭环式）磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器，即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈，电流所产生的磁场进行补偿，从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。磁平衡式电流传感器的具体工作过程为：当主回路有一电流通过时，在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上，所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通，从而获得一个补偿电流Is。这一电流再通过多匝绕组产生磁场，该磁场与被测电流产生的磁场正好相反，因而补偿了原来的磁场，使霍尔器件的输出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘所产生的磁场相等时，Is不再增加，这时的霍尔器件起指示零磁通的作用，此时可以通过Is来平衡。被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。一旦磁场失去平衡，霍尔器件就有信号输出。经功率放大后，立即就有相应的电流流过次级绕组以对失衡的磁场进行补偿。从磁场失衡到再次平衡，所需的时间理论上不到1μs，这是一个动态平衡的过程如果满意请采纳！

2023-07-16 1条回答
问关于磁阻传感器的问题

闲的无聊磁阻传感器是利用磁场的变化测量磁阻变化的情况。只有传感器和磁场一致时磁场变化才最明显，测得的信号变化最大，传感器灵敏度才最大。

2023-07-15 1条回答
问磁阻式传感器

匿名用户请参考： http://www.higk.com/plus/search.php

2023-07-15 1条回答
问什么叫做磁阻效应

12c257affde9 1. 谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量； ρ0——无磁场时的电阻率； ρB——有磁场时的电阻率。在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。肌敞冠缎攉等圭劝氦滑2. 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

2023-06-12 2条回答
问磁阻传感器是不是属于角度传感器？还是磁阻传感器能拥有角度传感器的作用，可以拿来测量角度的变化？

550a78eb73ff 你说的角度传感器应该包含两种东西：角位移传感器和角速率传感器磁阻传感器其实是测量磁场强度的东东，要用来测量角度也可以。旋转的时候，角度不同，恒定磁场在传感器敏感轴上的强度分量是不同的，转换一下就可以得到旋转的角度了，这是属于间接测量的，直接测量还是使用角位移传感器或者角速率传感器吧

2023-06-12 2条回答
问磁阻传感器的磁阻效应除了与材料有关外还与几何形状有关:（）的磁阻效应最明显A长方形 B正方形 C圆盘形

1cb1db87b9b4 1. 谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为2. 式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量；3. ρ0——无磁场时的电阻率；4. ρB——有磁场时的电阻率。5. 在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。2. 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

2023-06-12 1条回答
问简述磁阻传感器的定义

8b784e1737d9 词组传感器的定义就是按照不同的磁场来进行检测。

2023-06-12 3条回答

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