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问 求书一本，内容关于数控刀片与切削材料的，内容最好是什么材料用什么材料的刀片，及转速，进给速度多少合
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问 半导体发光二极管LED产生的光是单光吗?
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问 关于下列物质的性质及其应用，说法正确的是（ ） A．LED灯的核心元件发光二极管是由半导体材料制成
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问 半导体照明和节能灯有什么区别？
河北抵押车 节能灯，又称为省电灯泡、电子灯泡、紧凑型荧光灯及一体式荧光灯，是指将荧光灯与镇流器（安定器）组合成一个整体的照明设备。节能灯的尺寸与白炽灯相近，与灯座的接口也和白炽灯相同，所以可以直接替换白炽灯。节能灯的光效比白炽灯高得多，同样照明条件下，前者所消耗的电能要少得多，所以被称为节能灯。 大白话，就是变形日光灯（灯管）。它利用灯丝发热发射电子，使水银蒸气导电发出253.7nm的紫外线，紫外线激发荧光粉发光，由于荧光灯工作时灯丝的温度在1160K左右，比白炽灯工作的温度2200K～2700K低，所以它的寿命也大大提高到8000小时以上，又由于它不存在白炽灯那样的电流热效应，荧光粉的能量转换效率也很高，能达到每瓦60（lm）流明。 LED是一种节省能源新型发光照明灯具，和节能灯不一样。LED很可能成为普遍采用家庭照明，节能环保也可能成为照明灯的一次革命。 LED日光灯的特点 1、 一是节能。每只照明灯具的工作电流DC在0.5-1.3A以下，耗市电在6W-12.6W左右，并且没有太多的热量产生，它比节能灯更省电，一只节能日光灯管要耗电36W-45W(加镇流器)，而此种LED日光灯照明灯仅耗电6-12W。二是环保。它的光源无紫外光、红外光等辐射，且能避免荧光灯管破裂溢出汞的二次污染和无法再利用的浪费。三是寿命长。发光二极管制成的日光灯使用寿命为3万-5万小时，以每天8小时计算，可使用10年以上。用它制造的照明灯具，使用寿命远远高于普通白炽灯和节能灯。 2、 LED日光灯与传统的日光灯外型.尺寸.口径相似(φ25mm-26mm).规格设计有:6W，9W，12W(瓦特). 12WLED日光灯亮度与传统40W亮度无异,LED日光灯亮度尤其显得更柔和。使用寿命在5万-8万小时.它不需等待启动时间即开即亮,万一有损坏还可以维修.(传统日光灯损坏无法再利用)。它不但超强节能更为环保, 传统40W日光灯每25H耗市电1度.12WLED日光灯与传统40W规格一样,需要84小时耗市电1度.6WLED日光灯 与传统的36W相似.它们的比值是167小时/27.8小时耗市电1度.以及1W灯具LED球泡灯1000小时耗市电1度之产品。大白话，就是发光二极管集成的照明灯。
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问 如何提高半导体气体传感器的选择性
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问 半导体气体传感器可测哪些有毒气体
e36e77bb4b27 利用半导体与气体接触时电阻或功函数发生变化这一特性检测气体。气体传感器分为电阻式与非电阻式两种。 电阻式采用SnO2、ZnO等金属氧化物材料制备，有多孔烧结件、 厚膜、 薄膜等形式。根据半导体与气体的相互作用是发生在表面还是体内，又分为表面控制型与体控制型。表面控制型电阻式传感器包括SnO2系传感器、ZnO系传感器、其他金属氧化物（WO3、V2O5、CdO、Cr2O3等） 材料的传感器和采用有机半导体材料的传感器。体控制型电阻式传感器包括Fe2O3系传感器、ABO3型传感器和燃烧控制用传感器。这类传感器可检测甲烷、丙烷、氢、一氧化碳等还原性气体，氧、二氧化氮等氧化性气体，具有强吸附力的胺类和水蒸汽等。 非电阻式气体传感器利用气体吸附和反应时引起的功函数变化来检测气体。它可分为金属－半导体结二极管型传感器（利用金属与半导体界面上吸附气体时，二极管整流特性的变化）、MOS二极管型传感器（采用MOS结构，通过C-V特性的漂移检测气体）和MOS FET型传感器（通过MOS FET的阈值电压变化检测气体）。 半导体气体传感器灵敏度高，可用于可燃气体防爆报警器，CO、H2S等有毒气体的监测器。通过稳定性研究，一些传感器可用于气体浓度的定量监测。半导体气体传感器在防灾、环境保护、节能、工程管理、自动控制等方面有广泛的应用。
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问 请问有谁知道半导体MEMS的工作原理？
b9d3ef57abb1 MEMS压力传感器的结构与工作原理及应用技术 MEMS是指集微型压力传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。 MEMS压力传感器可以用类似集成电路（IC）设计技术和制造工艺，进行高精度、低成本的大批量生产，从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用MEMS传感器打开方便之门，使压力控制变得简单易用和智能化。 MEMS压力传感器原理： 目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗，极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。 MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁，采用MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.01%～0.03%FS。硅压阻式压力传感器结构如图3所示，上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝压压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2的电阻应变片电桥电路。当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出与压力成正比的电压信号。 传统的机械量压力传感器是基于金属弹性体受力变形，由机械量弹性变形到电量转换输出，因此它不可能如MEMS压力传感器那样做得像IC那么微小，成本也远远高于MEMS压力传感器。相对于传统的机械量传感器，MEMS压力传感器的尺寸更小，最大的不超过1cm，使性价比相对于传统“机械”制造技术大幅度提高。
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问 《半导体光电》是核心期刊吗，投稿到录用需要多久？
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问 半导体物理对光学专业的用多大用处啊
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问 什么是半导体三极管?它在结构上有何特点?
c489e2ef9113 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。三极管的作用半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。http://ic.big-bit.com/
long 
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勇敢的心 
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