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问 右脚踩刹车时 左脚离合器踏板是踩到底还是踩到关联动状态下?
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问 雪佛兰创酷制冷和内循环指示灯亮时是什么状态，开启还是关闭状态
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问 轿车玻璃升降器能否设置成一种非正常状态断电打开呀？
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问 新胎停车状态爆胎？有图
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问 净水器不用状态，加盐过多，而且是工业盐，会造成食物中毒吗？
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问 晶体管有几种工作状态
回憶漸洐漸遠 “晶体管”，英文是transistor；“逻辑”，英文是logic；输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好
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问 爱迪尔车在大灯开的状态下，熄火时有蜂鸣器不鸣叫了，谢谢朋友了
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问 消防自动报警控制器在日常生活中应当保持什么样的控制状态
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问 五菱荣光s处于驻车制动器状态对行车有影响吗
e36e77bb4b27 行车制动 是指脚刹（脚制动） 油门控制制动：需要减速时，保持3档状态，将油门完全松开，此时发动机趋于怠速，因此它对传动系统产生一个阻力，作用于车轮而达到减速的目的。 排气制动：大功率柴油机排气歧管与排气管连接处有一个碟阀，在挂挡状态下，操作电磁开关使它关闭，造成发动机闷车从而达到制动效果，再踩油门时它会自动打开。结构简单但有损发动机。目前重卡、大客普遍采用。 液涡轮缓速器：在变速箱箱壳后端增加一个涡轮室，当制动电路开启后，使变速箱油在涡轮中产生阻尼达到制动效果，无磨损但要增加散热。目前ZF变速箱在高档客车上有使用。 电涡轮缓速器：相当于在传动轴上装了个“发电机”，不通电时，无接触无磨损，需要制动时接通电路，传动轴便受到电磁场的阻力，达到制动目的。无磨损但结构庞大。 目前重卡、大客可选装。 发动机制动结构：制动信号使排气阀微开不关闭，活塞上下运动均受到气流阻尼而产生制动力。无损紧凑，目前国内尚无。 驻车制动就是手刹，目前有三种形式： 1.轿车类，手制动柄以杠杆原理拉动制动索，使后轮制动蹄片或制动钳锁。 2.轻、中型卡车及有传动轴的轿车、越野车，手制动柄多通过机械方式，将传动轴上的制动鼓锁，以达到固定后轮的目的。 3.重型卡车和大型客车，后轮制动气室多带有弹簧储能制动，行车时压缩空气顶起弹簧，驻车时，司机只要操作一个阀开关，把气放掉，弹簧就会把后轮锁。
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问 请问刹车是真空助力器，在熄火状态下重力多次踩刹车踏板，会损坏吗？
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5条回答
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匿名 
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潇十一郎 
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