- 问答
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问 数码相机里CCD是指相机里哪部分
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问 什么是CCD传感器的填充因子
墨未浓 CCD传感器每个像素并不是100%的面积都可以用于感光的，每个像素除了能够感光的区域以外，还有一部分面积用来安排放大器、连线等，这部分不能用于感光。感光有效面积/像素总面积 = 填充因子提高填充因子的主要方法就是减小放大器和连线所占的面积，把尽可能多的面积留给感光区，具体实施时一般是通过提升制程，也就是减小线宽来实现的。例如，一个典型的CCD，电路相同时，采用0.35μm工艺时，填充因子0.2（20%），采用0.18μm工艺时，填充因子0.8（80%），这是因为线宽变为原来的1/2，则放大器面积变为原来的1/4，原来占像素面积80%的放大器在制程改进后只占像素面积的20%了。（本例为一实际产品的数据）
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问 ccd传感器坏是什么表现
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问 CCD是什么东西？有什么用途？那些设备上会有？
Eric CCD，英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。CCD上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。其实就是数码相机感光元件的一种~原来的相机用胶卷感光，而数码相机里，用CCD或CMOS替代胶卷，平时说的多少万像素，指的就是它有多少万~
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问 CCD图像传感器的原理及应用
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问 数码相机传感器(ccd)怎么样更换
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问 x射线传感器和ccd相机的区别
80e6a9ac35ff X射线传感器？？应该是X射线探测器吧！！X射线探测器包括很多种类别。不知道你说的是那种。就拿常见的X射线探测器来说吧，晶体有钨酸隔的，有碘化铯的，有硫氧化噶的，他们都是X光转换成可见光，后进过光电二极管，经过放大等一些列处理后形成数字信号，传给计算机的。CCD相机？是普通的照相机还是无损射线照相机？从你的问题补充的来看，多半理解你的意思，是无损检测的CCD摄像机。CCD：有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 。影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。比较：1、 技术比较1.1非晶硅平板探测器 由闪烁体或荧光体层涂上有光电二极体管作用的非晶硅层加上TFT阵列构成，矩阵中的最小单元（像素）是由薄膜非晶态硅制成的光电二极管，用以将光转换成电荷沉积。在光电二极管矩阵上被覆有掺铊的碘化铯闪烁光电晶体。透过被检体后的入射X线，激发光电二级管产生电流，随之就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷，每一像素的存储电荷量和与之对应的范围内的入射X线光子能量和数量成正比，非晶硅平板探测器的技术难点，结构性CSI的制造工艺比较复杂，且需光敏二级管。1.2、非晶硒平板探测器 用非晶硒涂覆在TFT阵列上，透过被检体后的入射X线再硒层中产生电子——空穴对，在外施偏压的电场作用下，电子和空穴向相反的方向移动形成电流，随之在TFT 积分形成存储电荷。平板薄膜晶体管（thinfilm transistor TFT）技术制成高分辨率实时成像板采集图像。非晶硒平板探测器的技术难点，要外加数千伏高压，这会对TFT 开关构成威胁1.3、CCD探测器 有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。CCD 技术难点，光能损耗失和和光学镜头的几何失真。2性能比较 非晶硒平板探测器是真正意义上的直接数字化摄影，因为在影像形成过程中，无可见光产生，因而不会因可见光的散射和折射造成光能的损耗和曝光剂量的增加以及光学几何失真，高分辨率实时成像。 非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器一样是大面积的平板结构。无需放大，无几何失真。 CCD 探测器，单个CCD芯片可以做成，5*5cm 这可以使得像素数增加，可达1700万像素，平行光和CCD的感应光层采用氧化锡硒材料来增强可见光的传输率，可使得光能损耗损耗到最低，几何失真降到最小，具有成像速度快，曝光剂量小的特点。3稳定性比较硒和硅在自然界中是以晶体的形态存在的 ，故而非晶态硒和硅在常温下的稳定性较差，平板非晶硅和硒对环境 温度要求比价高，设备的准备时间比价长，CCD探测器技术，早非晶硅和硒平板约30年，故而比较成熟，对环境的要求不高，设备的准备的时间比较短。
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问 CCD线性图像传感器
2f50e76d5199 由两种感光器件的工作原理可以看出，CCD的优势在于成像质量好，但是由于制造工艺复杂，只有少数的厂商能够掌握，所以导致制造成本居高不下，特别是大型CCD，价格非常高昂。在相同分辨率下，CMOS价格比CCD便宜，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些。市面上绝大多数的消费级别以及高端数码相机都使用CCD作为感应器；CMOS感应器则作为低端产品应用于一些摄像头上，若有哪家摄像头厂商生产的摄像头使用CCD感应器，厂商一定会不遗余力地以其作为卖点大肆宣传，甚至冠以“数码相机”之名。一时间，是否具有CCD感应器变成了人们判断数码相机档次的标准之一。CCD传感器-原理编辑本段 CCD传感器是一种新型光电转换器件，它能存储由光产生的信号电荷。当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。它具有光电转换、信息存贮和延时等功能，而且集成度高、功耗小，已经在摄像、信号处理和存贮3大领域中得到广泛的应用，尤其是在图像传感器应用方面取得令人瞩目的发展。CCD有面阵和线阵之分，面阵是把CCD像素排成1个平面的器件；而线阵是把CCD像素排成1直线的器件。由于在军事领域主要用的是面阵CCD，因此这里主要介绍面阵CCD。 CCD传感器-种类编辑本段 面阵CCD的结构一般有3种。第一种是帧转性CCD。它由上、下两部分组成，上半部分是集中了像素的光敏区域，下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存储区域。其优点是结构较简单并容易增加像素数，缺点是CCD尺寸较大，易产生垂直拖影。第二种是行间转移性CCD。它是目前CCD的主流产品，它们是像素群和垂直寄存器在同一平面上，其特点是在1个单片上，价格低，并容易获得良好的摄影特性。第三种是帧行间转移性CCD。它是第一种和第二种的复合型，结构复杂，但能大幅度减少垂直拖影并容易实现可变速电子快门等优点。 面阵CCD：允许拍摄者在任何快门速度下一次曝光拍摄移动物体。线阵CCD：用一排像素扫描过图片，做三次曝光——分别对应于红、绿、蓝 三色滤镜，正如名称所表示的，线性传感器是捕捉一维图像。初期应用于广告界拍摄静态图像，线性阵列，处理高分辨率的图像时，受局限于非移动的连续光照的物体。三线传感器CCD：在三线传感器中，三排并行的像素分别覆盖RGB滤镜，当捕捉彩色图片时,完整的彩色图片由多排的像素来组合成。三线CCD传感器多用于高端数码相机，以产生高的分辨率和光谱色阶。交织传输CCD：这种传感器利用单独的阵列摄取图像和电量转化，允许在拍摄下一图像时在读取当前图像。交织传输CCD通常用于低端数码相机、摄像机和拍摄动画的广播拍摄机。全幅面CCD：此种CCD具有更多电量处理能力,更好动态范围，低噪音和传输光学分辨率，全幅面CCD允许即时拍摄全彩图片。全幅面CCD由并行浮点寄存器、串行浮点寄存器和信号输出放大器组成。全幅面CCD曝光是由机械快门或闸门控制去保存图像，并行寄存器用于测光和读取测光值。图像投摄到作投影幕的并行阵列上。此元件接收图像信息并把它分成离散的由数目决定量化的元素。这些信息流就会由并行寄存器流向串行寄存器。此过程反复执行,直到所有的信息传输完毕。接着，系统进行精确的图像重组。CCD传感器-结构编辑本段 CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个MOS电容器(大多为光敏二极管)，它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A～1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个MOS电容器。当有1束光线投射到MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入P型Si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。MOS电容器的电荷储存容量可由下式求得：QS=Ci×VG×A式中： QS是电荷储存量；Ci是单位面积氧化层的电容；VG是外加偏置电压；A是MOS电容栅的面积。由此可见，光敏元面积越大，其光电灵敏度越高。1个3相驱动工作的CCD中电荷转移的过程。(a)初始状态；(b)电荷由①电极向②电极转移；(c)电荷在①、②电极下均匀分布；(d)电荷继续由①电极向②电极转移；(e)电荷完全转移到②电极；(f)3相交叠脉冲。假设电荷最初存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱最深，如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，这时，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，(b)和(c)所示，然后再逐渐将电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。 CCD传感器-特性编辑本段 ①调制传递函数MTF特性：固态图像传感器是由像素矩阵与相应转移部分组成的。固态的像素尽管己做得很小，并且其间隔也很微小，但是，这仍然是识别微小图像或再现图像细微部分的主要障碍。②输出饱和特性：当饱和曝光量以上的强光像照射到图像传感器上时，传感器的输出电压将出现饱和，这种现象称为输出饱和特性。产生输出饱和现象的根本原因是光敏二极管或MOS电容器仅能产生与积蓄一定极限的光生信号电荷所致。③暗输出特性：暗输出又称无照输出，系指无光像信号照射时，传感器仍有微小输出的特性，输出来源于暗〔无照)电流。④灵敏度：单位辐射照度产生的输出光电流表示固态图象传感器的灵敏度，它主要与固态图像传感器的像元大小有关。⑥弥散：饱和曝光量以上的过亮光像会在象素内产生与积蓄起过饱和信号电荷，这时，过饱和电荷便会从一个像素的势阱经过衬底扩散到相邻像素的势阱。这样，再生图像上不应该呈现某种亮度的地方反而呈现出亮度，这种情况称为弥散现象。⑥残像：对某像素扫描并读出其信号电荷之后，下一次扫描后读出信号仍受上次遗留信号电荷影响的现象叫残像。⑦等效噪声曝光量:产生与暗输出(电压)等值时的曝光量称为传感器的等效噪声曝光量。CCD传感器-与CMOS区别编辑本段 CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，不像由二极管组成的CCD，CMOS 电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，这有助于改善人们心目中数码相机是" 电老虎"的不良印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大，如果抑制得不好就十分容易出现杂点。此外，CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别。例如，如果分辨率为300万像素，那么CCD传感器可连续扫描300万个电荷，扫描的方法非常简单，就好像把水桶从一个人传给另一个人，并且只有在最后一个数据扫描完成之后才能将信号放大。CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器。因此，CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大，采用这种方法可节省任何无效的传输操作，所以只需少量能量消耗就可以进行快速数据扫描，同时噪音也有所降低。这就是佳能的像素内电荷完全转送技
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问 ccd固体图像传感器的主要特性
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问 CCD图像传感器的介绍
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匿名用户 
无为 
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0eb8815e27d1 
9ecd69cf0ab6 
