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问 晶体管，单极型晶体管，双极型晶体管什么关系？
匿名用户 双极性晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor)：又称晶体三极管、半导体三极管等，简称三极管。有两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管。根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 单极性晶体管：只有一种极性的多数载流子（电子或空穴）参与导电，故称为单极型晶体管，如场效晶体管等。根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。 硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。
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问 晶体管是什么？？？
夜风aiq袭来 什么是晶体管及其种类与参数? 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
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问 大众晶体管调节器发电机的问题
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问 谁能告诉晶体谐振器的作用及应用行业？谢谢，急用！
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问 晶体管调节器与机械触电式调节器相比有哪些有点
853f6fd30f06 晶体管调节器又称为电子调节器，是由电子元件组成，利用大功率三极管的导通和截止，控制磁场电路的接通和切断来实现对发电机电压的控制。 晶体管调节器由于采用树脂胶封装，能承受潮湿、泥土、油污、低温等环境的变化，又因内部无可动的元件，所以能承受冲击和振动，优于机械式调节器。晶体管调节器不存在烧触点和因振动造成电压变化及对收放机产生干扰等缺陷。调节电压在出厂前已调整好，使用中不用进行任何调整与维护。 （1）使用晶体管调器应注意以下几点： ①必须按规定接线，否则会损坏调节器的晶体管。 ②柴油发动机不工作时，必须关闭电源开关，否则蓄电池对发电机的励磁绕组长期放电，会损坏大功率管。 ③不现电压等级的调节器不能装错，不能互换使用。 （2）晶体管调节器常见故障有下列几种： ①发电机电压过高。原因是晶体管短路或断路使发电机励磁电流增大，发电机电压增高。 ②发电机电压建立不起来。原因是晶体管短路或断路，阻断了发电机励磁电流，故发电机不发电。 处理方法：对于没有用树脂胶封装的可以按型号更换晶体管。若已经封装的只能直接更换调节器。
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问 为什么晶体管型电压调节器不需要限流器?
1条回答
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【紫气东来】 
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