- 问答
-
问 凯迪拉克XTS驾驶室涨水过座椅需要换那些模块及电子元件
-
问 谁知道关于汽车电子元件传感器介绍的书籍<那种的好些>
-
问 电路板上的TR、TH、J、L、CN、K、X都代表什么电子元件?
匿名 Tr：三极管（transistor）；TH：热敏电阻（thermistor）；J：跳线或跳接点（jumper）；L：电感（inductor），L6表示编号为6的电感；CN：接插件；K：继电器；X：晶体振荡器，陶瓷谐振器（crystal, ceramic resonator）。扩展资料：各个厂商都有自己的元件库，画电路图时的元件都从库里抓来的(大厂)，对于一些不常见的，比如CON，JP，各个厂商的定义也会有所不同。R(电阻)、FS(保险管)、RTH(热敏电阻)、CY(Y电容：高压陶瓷电容，安规)、CX(X电容：高压薄膜电容，安规)、D(二极管)、C(电容)、Q(晶体管)ZD(稳压二极管)、T(变压器)、U(IC芯片)、J(跳线)、VR(可调电阻)、W稳压管、K 开关类、Y 晶振。电路板上常常见到R107、C118、Q102、D202等编号，一般情况下，第一个字母标识器件类别，比如R代表电阻器，C代表电容器，D表示二极管、Q表示三级管等。第二个是数字，表示电路功能编号，如“1”表示主板电路，“2”表示电源电路等等，这是由电路设计者自行确定的;第三、四位表示该器件在该电路板上同类器件的序号。参考资料来源：百度百科--电子元器件
-
问 请问这个硬盘上的电子元件是什么? 硬盘上的另一个爆了，不想换电路板谁知道是什么
-
问 MEMS器件的磁力计、磁强计、电子罗盘是指一种东西吗
-
问 CMOS和NMOS器件到底有什么区别?双级型器件和MOS器件呢?
-
问 求一些电子元件的结构和特性介绍（稳压二极管，MOS管，场效应管等）
-
问 半导体上的器件用途
c34214335e1a 在半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色 PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。基于PN结,就有了晶体管,才有了集成电路,电子产品中的各种芯片都是集成电路
-
问 光纤传输实验采用什么作为发光器件和光接受器件？
-
问 光纤传输实验采用什么作为发光器件和光接受器件
6ad7258e4ddc 音频信号光纤传输实验光纤在通讯领域、传感技术及其他信号传输技术中显示了愈来愈广泛的用途，也显示了其愈来愈重要的地位。随之而来的电光转换和光电转换技术、耦合技术、光传输技术等，都是光纤传输技术及器件构成的重要成分。对于不同频率的信号传输和传输的频带宽度，上述各种技术有很大的差异，构成的器件也具有不同的特性。通过实验了解这些特性及其对信息传输的影响，有助于在科研与工程中恰当地使用这一信号传输技术。一、实验目的1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。二、实验仪器FD-OFT-A型音频信号光纤传输实验仪实验主机（包括音频信号发生器、光功率计、LED放射器、SPD接收器等）、多模光纤（装于骨架上），半导体收音机，示波器组成三、实验原理1. 音频信号光纤传输系统的原理传输系统由“光信号发送器”、“光信号接受器”和“传输光纤”三部分组成。其原理主要是：先将待传输的音频信号作为源信号供给“光信号发送器”，从而产生相应的光信号，然后将此光信号经光纤传输后送入“光信号接受器”，最终解调出原来的音频信号。为了保证系统的传输损耗低，发光器件LED的发光中心波长必须在传输光纤的低损耗窗口之内，使得材料色散较小。低损耗的波长在850nm，1300nm或1600nm附近。本仪器LED发光中心波长为850nm，光信号接受器的光电检测器峰值响应波长也与此接近。为了避免或减少波形失真，要求整个传输系统的频带宽度能覆盖被传输信号的频率范围。由于光纤对光信号具有很宽的频带，故在音频范围内，整个系统频带宽度主要决定于发射端的调制信号放大电路和接收端的功放电路的幅频特性。2. 半导体发光二极管LED的结构和工作原理光纤通讯系统中对光源器件在发光波长、电光功率、工作寿命、光谱宽度和调制性能等许多方面均有特殊要求，所以不是随便哪种光源器件都能胜任光纤通讯的任务，目前在以上各方面都能较好满足要求的光源器件主要有半导体发光二极管（light emitting diode，缩写LED）和半导体激光器（Laser Diode，缩写LD）。以下主要介绍发光二极管。半导体发光二极管是低速短距离光通信中常用的非相干光源，它是如图3所示的N-P-P三层结构的半导体器件，中间层通常是由直接带隙的GaAs砷化镓P型半导体材料组成，称为有源层，其带隙宽度较窄，两侧分别由AlGaAs的N型和P型半导体材料组成，与有源层相比，它们都具有较宽的带隙。具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结，中，有源层与左侧的N层之间形成的是P-N异质结，而与右侧P层之间形成的是P-P异质结，所以这种结构又称为N-P-P双异质结构，简称DH结构。当在N-P-P双异质结两端加上偏压时，就能使N层向有源层注入导电电子，这些导电电子一旦进入有源层后，因受到P-P异质结的的阻挡作用不能再进入右侧P层，它们只能被限制在有源层内与空穴复合，同时释放能量产生光子，发出的光子满足以下关系：
c7b64eca33a9 
1条回答
★芬迪克★ 
秋裤大叔 
df2f9c95b258 
0636bde17e26 
ac87ae80065d 
eeaf8a0c74c0 
