在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为电源瞬间上电时候保护MOS的寄生电感。该如何理解这句话?

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  • 是为了放电,因为mos管内部类似于一个电容,如果dout没有下拉功能,mos导通后就会一直处于导通状态,这里并联一个电容后,当dout变成低电位时,可以把mos管结电容的电放掉!如果信号有下拉功能,可以取消此电阻!
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  • mos管如果G端悬空的话,会使mos管导通,造成mos管因电流过大而烧毁,加电阻的作用是拉地电阻,起到限流的作用,防止其悬空导通烧毁!MOS管是一个ESD敏感元件,本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以很容易受外界或者静电影响而带电,容易引起静电击穿。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。栅源间的过电压保护:如果栅源间的阻抗过高,则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲,这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏,如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管,特别要注意防止栅极开路工作。
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