DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL和结构寄存器。 (4)配置寄存器 该字节各位的意义如下: 表3: 配置寄存器结构 TM R1 R0 1 1 1 1 1 低五位一直都是"1",TM是测试模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0,用 户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率,如下表所示:(DS18B20出厂时被设置为12位) 表4: 温度分辨率设置表 R1 R0 分辨率 温度最大转换时间0 0 9位 93.75ms 0 1 10位 187.5ms 1 0 11位 375ms 1 1 12位 750ms 4、高速暂存存储器 高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如表5所示。当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在 高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后,数据格式如表1所示。对应的温度计算: 当符号位S=0时,直接将二进制位转换为十进制;当S=1时,先将补码变为原码,再计算十进制值。表 2是对应的一部分温度值。第九个字节是 冗余检验字节。 表5: DS18B20暂存寄存器分布 寄存器内容 字节地址温度值低位 (LS Byte) 0温度值高位 (MS Byte) 1高温限值(TH) 2低温限值(TL) 3配置寄存器 4保留 5保留 6保留 7CRC校验值 8