问压租式传感器与应变式传感器有什么区别?

传统的cmos传感器每个像素点都要搭配一个对应的a/d转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。ccd的单个像素点不需要a/d转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前ccd仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，a/d转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此cmos传感器也得到了广泛的应用。 而背照式cmos将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把a/d转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统cmos传感器一样，a/d转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型cmos传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而a/d转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而背照式cmos传感器解决了这样的问题。 过这两个优点并非被照式cmos传感器特有，是当今新款的cmos传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用cmos传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。

压阻传感器是基于压阻效应制成的；压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于载流子迁移率的变化，使其电阻率发生变化的现象。它是C.S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现的。压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号。例如：压阻加速度传感器是在其内腔的硅梁根部集成压阻桥（其布置与电桥相似），压阻桥的一端固定在传感器基座上，另一端挂悬着质量块。电阻应变式传感器 利用电阻应变片变形时其电阻也随之改变的原理工作（图11）。主要由弹性元件、电阻应变片、测量电路和传输电缆4部分组成。电阻应变片贴在弹性元件上，弹性元件受力变形时，其上的应变片随之变形，并导致电阻改变。测量电路测出应变片电阻的变化并变换为与外力大小成比例的电信号输出。电信号经处理后以数字形式显示出被测物的质量。所以说，应变式传感器是压阻传感器中的一种