问锑化铟磁阻传感器的特性测量实验步骤

当材料处于磁场中时，导体或半导体内的载流子将受洛仑兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数目将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效应。如果将图1 中a、b端短接，霍尔电场将不存在，所有电子将向a端偏转，磁阻效应更明显。 通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用△ρ/ρ(0)表示，其中ρ(0)为零磁场时的电阻率，设磁电阻阻值在磁感应强度为b的磁场中电阻率为ρ(b)，则△ρ=ρ(b)－ρ(0), 由于磁阻传感器电阻的相对变化率△r/r(0)正比于△ρ/ρ(0), 这里△r =r(b) －r(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△r/r(0)来表示磁阻效应的大小。 实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率δr/r（0）正比于磁感应强度b的平方，而在强磁场中δr/r（0）与磁感应强度b呈线性函数关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。 如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量δr/r（0）正比于b2，那么磁阻传感器的电阻r将随角频率2ω作周期性变化。即在弱正弦波交流磁场中磁阻传感器具有交流电倍频性能。 若外界交流磁场的磁感强度b为 （1） 式中， 为磁感应强度的振幅， 为角频率,t为时间。 设在弱磁场中， （2） （2）式中，k为常量。假设电流恒定为 ，由（1）式和（2）式可得 （3） （3）式中， 为不随时间变化的电阻值，而 为以角频率2ω作余弦变化的电阻值。因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生倍频交流电阻值变化。 由（3）式可知磁阻上的分压为 振荡频率两倍的交流电压和一直流电压的叠加。

实验步骤都写的明明白白的了，不就照做么……逐次增加电流，注意小电流时两组数据的间隔密一些，推荐取1，2，4，8，10，20，40，80……这样的数据间隔，画图后对大电流拟合出渐近线，小电流时二次拟合，会用matlab就最好了，哈哈哈~~~~~