霍尔传感器是利用霍尔效应制成的传感器元件,用它可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势VH,这种现象称为霍尔效应。霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度,它随载流体材料的不同而不同。当材料中的电子浓度为n时,有如下关系式:I=-nevbd ,UH=-1/ned *IB =KH*IB,KH为霍尔灵敏度,它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小