问什么是背照式摄像头，优点有哪些？

目前越来越多的手机开始采用背照式cmos，能够生产背照式cmos的厂商有不少，有索尼、松下、omnivision、aptina、三星等，这其中索尼家的背照式cmos最为出名也最为出色。为什么？因为索尼家的背照式cmos（bsi）使用的是soi（silicon on insulator）晶圆，比普通硅晶圆（体硅晶圆）的技术和成本都要高得多。单从成本上看，soi晶圆就是普通体硅晶圆的4-5倍了，完整成品做下来也要高上个2-3倍。尽管如此，但是旗舰机型依然会乐此不疲地搭载索尼家的摄像头，同时也把搭载了索尼摄像头作为一个卖点进行宣传。索尼出品，已经成为一种高端的象征。 为了增加认知度，索尼给自家背照式cmos起了个名字，叫做“exmor r cmos”，相信大部分人都听过。这个exmor r cmos，也就是刚才提到过的旗舰机型们用到的cmos技术。到现在为止，exmor r cmos已经积累了非常好的用户口碑，可以说是“功成名就”。这时候，索尼就计划着研发更先进的cmos技术了，这就是我们今天要讲到的“exmor rs cmos”，相比前者，“exmor rs cmos”虽然只是多了一个“s”，但差距却不是一点半点。这个“s”，指的是“stack”，也就是stacked cmos，即堆栈式cmos，也可以说是积层式cmos。 积层式cmos对光线更敏感，成像效果更出色。堆栈式cmos是怎么一回事？简单说，exmor rs堆栈式cmos传感器是由背照式cmos传感器发展而来，新传感器将原本需紧靠感光组件的电路部份置于感光组件的下方，使得设备内部拥有更多的空间。在实现功能多样化的同时，还做到了小型化。本质上讲，堆栈式cmos是源于背照式cmos，而高于背照式cmos。

背照式cmos传感器 在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式CMOS就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。 Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。Exmor R CMOS采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）可提高至近100%。与其以往1.75μm间隔的表面照射产品相比，背面照射产品在灵敏度（S/N）上具有很大优势。编辑本段Exmor R CMOS的优势 传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。CCD的单个像素点不需要A/D转换器和放大电路，光电二极管能获得更大的实际感光面积，开口率更大，因此在小尺寸影像传感器领域，目前CCD仍占据一定优势，而在大尺寸影像传感器领域，由于单个像素点的面积大，A/D转换器和放大电路占用的面积只是整个像素的很小一部分，影响不大，因此CMOS传感器也得到了广泛的应用。 而Exmor R CMOS将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。 相比较之下，传统的表面照射型CMOS传感器的光电二极管位于整个芯片的最下层，而A/D转换器和放大电路位于光电二极管上层，因此光电二极管离透镜的距离更远，光线更容易损失。同时，这些线路连接层还会阻塞从色彩滤镜到达光电二极管的光路，因此直接导致实际能够感光更少。而Exmor R背照式CMOS传感器解决了这样的问题。 ip4!上面的