包括下列步骤:在半导体衬底中形成压力腔开口;在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片,形成压力腔,所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层,其中顶层硅与半导体衬底键合;去除衬底硅层至露出埋氧层;在埋氧层上形成氧化硅层;蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层,形成与后续敏感电阻位置对应的开口;沿开口向顶层硅层注入离子,形成敏感电阻;在氧化硅层上形成导电层,且导电层填充满开口,形成与敏感电阻连通的电极。还提供一种微机电系统压力传感器。本方法的敏感膜厚度和敏感电阻位置可以精确控制,从而提高压力传感器的灵敏度和线性度。