问场效应管跟晶体管有什么区别，应用时应该注意哪些

场效应三极管和晶体三极管均有放大作用，但二者的放大作用的微观机理不同，场效应观属于电压控制型，晶体管属于电流放大型，场效应管从技术上说比晶体管性能好。

场效应管是电压控制器件，输入不需要信号电流，是多数载流子工作的器件。BJT晶体管是电流驱动的器件，输入需要信号电流，是少数载流子工作的器件。它们的比较可详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

电力mosfet的工作原理（n沟道增强型vdmos）截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 　　p基区与n漂移区之间形成的pn结j1反偏，漏源极之间无电流流过。 　　导电：在栅源极间加正电压ugs 　　当ugs大于ut时，p型半导体反型成n型而成为反型层，该反型层形成n沟道而使pn结j1消失，漏极和源极导电 。igbt(insulatedgatebipolartransistor:绝缘栅双极晶体管）igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给pnp晶体管提供基极电流,使igbt导通.反之,加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使igbt关断.igbt的驱动方法和mosfet基本相同,只需控制输入极n沟道mosfet,所以具有高输入阻抗特性.当mosfet的沟道形成后,从p+基极注入到n一层的空穴(少子),对n一层进行电导调制,减小n一层的电阻,使igbt在高电压时,也具有低的通态电压。

场效应管 VS 晶体管 ：1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。