1、 硅片检测:硅片表面不平整度、少子寿命(大于10us)、电阻率、导电类型、微裂纹等
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合和四个检测模块。其中,光伏
硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等
外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部裂纹;另外还有两个检测模
组,其中一个在线测试模组,主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个用
于检测硅片少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的
对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装
片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率
2、 表面制绒:单晶硅绒面利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面
方锥体(金字塔结构)。各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,NaOH、KOH、
LiOH、乙二胺等。大多使用廉价浓度约为1%的NaOH稀溶液,腐蚀温度70~
85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量加入乙醇、异丙醇等作为络
合剂,以加快硅的腐蚀。制绒前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸
性腐蚀液去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。经过表面
准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结
3、 扩散制结:管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四
大部分组成。扩散一般用POCI3液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩
散炉的石英容器内,在850~950℃高温下使用氮气将POCI3带入石英容器,
通过POCI3和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进
入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成P
-N结
4、 去磷硅玻璃:通过化学腐蚀法生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片
表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,POCI3与O2反应生存P2O5沉
积在硅片表面。P2O5与硅反应生存SiO2、P原子,这样就在硅片表面形成
一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃
5、 刻蚀:等离子刻蚀,由于在扩散过程中,即时采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边
缘都将不可避免地扩散磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷
的区域流到PN结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳电池周边的掺杂硅进
行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等
离子是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离
形成等离子体。等离子体是由带正电的电子和离子组成,反应前腔体中的气体在
电子的撞击下,除了转变成等离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活
性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表
面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统
抽出腔体。
6、 镀减反射膜:PECVD(等离子增强化学气相沉积)。技术原理是利用低温等离子体作能量
源,样品置于低气压下辉光发电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预
定的温度,然后通入适量的反应气体SH4、NH3,气体经一系列化学反应和
等离子体反应,在样品表面形成固态氮化硅薄膜,薄膜厚度在70nm。利用
薄膜干涉原理,可以使光的反射大为减少,短路电流和输出电压增加,效
率提高
7、 制电极:丝网印刷技术是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上,该设备由电池背
面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。其工作原
理:利用丝网印刷图形部分网孔透过浆料,用刮刀在丝网的浆料部分施加一定
的压力,同时朝丝网在另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中
挤压刀基片上。由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内,印刷中刮板始
终与丝网印板和基片呈线性接触,接触线随刮刀移动而移动,从而完成印刷行
程。
8、快速烧结:经烧结炉快速烧结,将有机树脂粘合剂燃烧掉,剩下几乎纯粹的、由于玻璃
质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极合晶体硅在温度达到共晶温度时,
晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去,从而形成上下电极
的欧姆接触,提高电池片开路电压、填充因子,使其具有电阻特性,提高电
池转换效率。烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目
的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉,此阶段温度慢慢上升;烧结阶
段中烧结体内完成各种物理化学反应,形成电阻特性,该阶段温度达到峰值;
降温、冷却阶段,玻璃冷却硬化并凝固,使电阻膜结构固定地粘附在基片上。
8、 外围设备:电池片生产过程中,还需要供电、供水、排水暖通、真空、特汽等外围设施。
消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。