问三极管的特性是什么？如何判断好坏？如何判断硅管？

判断三级关好坏的方法如下： 使用指针万用表的R*1K档或是数字万用表的二极管档分别测量三级管每两条管脚之间的正反向（就是先测一次阻值记住，然后把万用表的红黑表笔对调一下再测一次阻值）阻值，如果是好的，它们之间的正反向阻值会相差很大。（一般一个阻值为无穷大，另一个阻值为几百K） 如果是坏的，它们的正反向阻值会相差很小（正反向阻值都为0或是相等），这就说明三级管击穿了 说明一下：1.普通三极管的C、E极是不通的，它们之间的正反向电阻均为无穷大 2.上面的方法只能用来测量普通的三级管，不能用来测量极间带有阻尼电阻或是阻尼二极管的三极 管，如带阻尼的行管是不能用这个方法判断它的好坏的，但如果C、E极的正反向都是通的，就是坏了 3。被测量的三极管应该是单独的，而不应是接在电路中的，如果接在电路中测量，会造成测量结果不准 4.如果被测三极管（不管是否带有阻尼）的C、E极的正方向都是通的（正反向阻值均为0或是一样），那就说明次三极管已经击穿损坏了。 三极管中硅管和锗管的区别有两点： 一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。 硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差 硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 锗管和硅管的判别用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.5—0.8V，锗管正向压降,一般为0.2—0.4V。