问何为三级管的临界饱和状态

饱和区就是说Uce<Ube 即Uce-Ube=Ucb<0的情况比如拿作业1.16来说吧Vbb=0, ibb=0,晶体管截止 uo＝12vvbb＝1， ibb＝（1－0.7）v/5k=0.06mA Vc=Vcc-ic*Rc=12-50*0.06*1k=9v晶体管在放大区vbb＝3， ibb＝（3－0.7）v/5k=0.46mA vc=12-50*0.46*1k=-11v<vbb=3v所以 晶体管是在饱和区 综上：要判断是不是在饱和区 首先按放大区计算方法来算vc再看vc是否小于vbb 小的话就是饱和区这是我自己总结的经验 不足或不对的地方请指教喔

对于单一的硅管来讲，三极管临界饱和的正确条件应该就应该是vce=vbe=0.7v，也就是说三极管的集电结vcb=0v；当vcb>0v时，说明三极管集电结反偏，三极管处于放大状态；而当vcb<0v时，说明三极管集电结正偏（vbc<=vbe=0.7v），三极管处于饱和导通状态；三极管饱和导通的深度取决于集电极电阻或基极电阻的大小，集电极电阻越大或基极电阻越小，三极管的饱和导通深度就越深，三极管完全深度饱和的条件是vbc=vbe=0.7v，也就是vce=0

当“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态（方式）。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。当然，小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上，因此，以上的界定只是一般概念上的。

当“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态（方式）。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。当然，小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上，因此，以上的界定只是一般概念上的。