问mos如何管构成二极管

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，g,s间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到u=q/c,故很容易在栅极上形成极高的esd电压，所以通常会在g-s之间加上tvs，防止g-s击穿。

对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向N沟道的是源极为正、漏极为负，P沟道相反！如果你是想用MOS进行同步整流，则是将MOS倒着接，利用体二极管方向进行整流，同时在产生整流电流时驱动MOS导通，失去整流电流时要同时关断MOS，利用MOSFET的到通电流无方向的特点，在需要整流瞬间短路整流管获得高效率

对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向N沟道的是源极为正、漏极为负，P沟道相反！ 只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。）扩展资料：当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到保护MOS管的作用）沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构，在N-epi外延层上扩散形成P基区，然后通过刻蚀技术形成深度超过P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层，再用多晶硅填充沟槽，利用自对准工艺形成N+源区，背面的N+substrate为漏区，在栅极加上一定正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，形成垂直沟道。MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。参考资料来源：百度百科  ——MOS（场效应管）