利用半导体场致发射效应,以及集成电路的微细加工工艺,研制成功一种横向真空微三极管。本文介绍其制造过程,并提出进一步完善微阴极和微真空管制作的可能途径http://zhuanli.baidu.com/pages/sipo/20051002/92/78137e67902dbb9828c2d5b05b9dd571_0.html一种横向三极管仿真模型及其实现方法申请号/专利号: 200510029262本发明公开了一种横向三极管仿真模型及其实现方法。本发明横向三极管仿真模型,由三极晶体管Q↓〔c〕,三极晶体管Q↓〔p1〕、三极晶体管Q↓〔p2〕以及金属氧化物晶体管M↓〔c〕相互连接组成。本发明一种横向三极管仿真模型的实现方法,第一步,计算出金属氧化物晶体管M↓〔c〕的模型;第二步,计算得到三极晶体管Q↓〔c〕、三极晶体管Q↓〔p1〕以及三极晶体管Q↓〔p2〕的电流值,并计算出三极晶体管Q↓〔c〕、三极晶体管Q↓〔p1〕以及三极晶体管Q↓〔p2〕模型;第三步,得出横向三极管仿真模型。本发明的一种横向三极管仿真模型可以精确的仿真横向三极管器件。