问为什么半导体发光器件常用直接间隙半导体材料制作

由于半导体中存在电子和空穴两种载流子，可以通过掺杂形成p型的或者n型的半导体。比如在si或ge中掺入p等v族元素会形成n型半导体，掺入b、ga等iii族元素会形成p型半导体。当一块纯的si半导体两端分别掺入p和ga时，就会形成pn结。 pn结是半导体器件的基础，制成的二极管、三极管就有放大作用。 建议你看看半导体物理、模拟电路等，里面讲的很详细。

因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大，而间接带隙半导体则否。因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时，没有动量的改变，则不需要第三者参与，故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合，有动量的改变，则必须要有第三者（主要是声子）参与，故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。