半导体器件的识别方法?

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  • 测量正反向阻值
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  • 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2(二极管)、 3(三极管) 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时: A(N 型锗材料)、 B(P 型锗材料)、 C(N 型硅材料)、 D(P 型硅材料)。表示三极管时: A (PNP 型锗材料)、 B(NPN 型锗材料)、 C(PNP 型硅材料)、 D(NPN 型硅材料)。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。 P(普通管)、 V(微波管)、 W(稳压管)、 C(参量管)、 Z(整流管)、 L(整流堆)、 S(隧道管)、 N(阻尼管)、 U(光电器件)、 K(开关管)、 G(高频小功率管)、 D(低频大功率管)、 X(低频小功率管)、 T(半导体晶闸管)、 Y(体效应器件)、 B(雪崩管)、 J(阶跃恢复管)、 CS(场效应管)、 BT(半导体特殊器件)、 FH(复合管)、 PIN(PIN 型管)、 JG(激光器件)。 第四部分:用数字表示序号。 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。 示例: 2AP92(二极管); A(N型锗材料); P(普通管); 9(序号) 3DG18 3(三极管); D(NPN 型硅材料); G(高频小功率); 18(序号) 3AX81B3(三极管); A(PNP型锗材料); X(低频小功率管); 81(序号); B(规格号) 第4部分的序号常常用来定义其电压值或者HFE的分档范围,如3DG18与3DG19,
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