问半导体器件物理

固体物理和半导体物理是基础，可以先从半导体能带理论入手，搞清楚了这个，再学习pn结，学习其中的自建电场、载流子的漂移和扩散原理，然后慢慢延伸至更复杂的结构，比如pin、npn、异质结。。。因为再复杂的半导体器件结构，也无外乎由这些基本结构组成，不必急于求成，只要搞清楚了最基础的理论和原理（能带、pn结）其他的都是互通的。学好了基础后，如果你拿到半导体器件结构，能熟练画出能带结构图，并快速读出其中的特征信息，那么你的半导体器件已经入门了。

CMOS器件的功耗主要是动态功耗（静态功耗几乎为0），也就是器件在开关过程中既有电压、又有电流时的功率。因此，功耗直接关系到器件的开关速度。所以提高开关速度即可降低功耗。响应时间延迟与两个因素有关：器件本身造成的延迟和负载电容充放电所造成的延迟。一般，在电流不是很小时，负载延迟往往起很大作用，所以需要降低输出电容和减小充放电通路的电阻（与器件本身的导通电阻有关）。器件的本征延迟可通过提高器件的开关速度（减短载流子的渡越时间）来降低。