临界放大

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三极管的饱和区

先解释一下 三极管的饱和区:

当Uce较小时,Ic变化较小,即Ib失去了对Ic的控制能力,三极管处于饱和状态。此时,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态,即:Uce>Uon且Uce < Ube ,βIb > Ic,Uce ≈0.3V。饱和时的Uce用Uces表示,三极管深度饱和时Uces很小,一般小功率管的Uces< 0.3V,锗管的Uces< 0.1V,比硅管还要小。

定义:

临界放大临界放大一般规定:当 Uce=Ube 时的状态为临界饱和(即Ucb=0 );当 Uce<Ube 时的状态为过饱和。临界饱和状态和临界放大状态是指同一个意思。

什么意思呢?可以理解为快要到达放大区了,但是还没有,是一个临界状态,从“放大状态的条件是Uce>Uon且Uce>Ube或Uce=Ube”这里也可以看出来。

总的来讲,是指三极管工作在饱和区时,且集电极和发射极之间电压为零时的状态。这个是电路工作的一个特殊状态(方式)。但要记住的是这时的Ic依然是随着Uce的增大而增大的,这个可以从三极管输出特性曲线上可以看到的,放大区的Ic则与Uce几乎没有什么关系,只决定于基极电流Ib。

上述分析从基本共射电路出发,欢迎补充这个定义在实际应用中的举例等。

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