非平衡载流子

　　 处于非 平衡状态的半导体，其 载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是 下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
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　　补充： Non-equilibrium carrier
　　（1）非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为 注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为 抽出情况。
　　（2）非平衡载流子的 寿命：在没有外界作用时，所多出的载流子——非平衡载流子将要复合而消失（半导体恢复到平衡状态），非平衡载流子的平均消失时间就是载流子的“复合寿命”；相反，对于缺少了载流子的半导体，将要产生出载流子、以恢复到平衡状态，这时，产生出缺少了的一部分载流子所需要的时间就是载流子的“产生寿命”。复合与产生的机理与半导体种类有关，Si主要是 复合中心的 间接复合机理。
　　（3）非平衡载流子多半是 少数载流子：由于 半导体电中性条件的要求，一般不能向半导体内部注入、或者从半导体内部抽出多数载流子，而只能够注入或者抽出少数载流子，所以半导体中的非平衡载流子一般就是非平衡少数载流子。
　　（4）非平衡载流子的运动：因为作为少数载流子的非平衡载流子能够产生 浓度梯度，所以，非平衡载流子的 扩散是一种重要的运动形式；在小注入时，尽管非平衡载流子的数量很小，但是它可以形成很大的浓度梯度，从而能够产生出很大的 扩散电流。相对来说，非平衡载流子受电场作用而产生的 漂移电流却往往较小。