密勒效应

密勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究 真空管 三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。

可以采用 平衡法（或中和法）等技术来适当地减弱 密勒电容的影响。

平衡法即是在输出端与输入端之间连接一个所谓 中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的 电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的。

密勒电容对器件的 频率特性有直接的影响。

例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容 势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。

对于 MOSFET：在共源组态中， 栅极与 漏极之间的覆盖电容Cdg是密勒电容，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。

① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在 IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；

② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。

共 发射极电路的24LC32输入电容CI为 基极一发射 极间电容CbE与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一 集电极间电容CbE之和。

但是，如图所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由于AV-0，Ci仅为CbE与CbE之和，没有发生共发射极电路避 免不了的密勒效应。因此，在渥尔曼电路的共 发射极电路中（下面的 晶体管），没有因密勒效应而使 频率特性变坏。所以．该渥尔曼电路中的共发射极电路是A，-0，可以认为作为 放大电路是完不发生密勒效应

共发射极电路的输入电容C．为 基极一发射 极间电容CbE与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一 集电极间电容CbE之和。

但是，如图所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由于A，-0，Ci仅为CbE与CbE之和，没有发生共发射极电路避免不了的密勒效应。

所以．该渥尔曼电路中的共发射极电路是AV≈1，可以认为作为放大电路是完全不起作用的。但是，如照片所示，在发射极上出现与输入信号u．相同的交流成分，由于让直接地加在 发射极电阻RE上（因R3被C5与C6接地，在交流上与不存在一样），所以共发射极电路作为由Vi使发射极电流变化的可变电流源而进行工作。