电子级多晶硅

　　基于Gibbs自由能最小原理，对SiHC13法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算，重点对SiHC1 还原反应子系统进行了热力学分析．对于SiHC13还原反应子系统，适宜的操作温度为13231473K，压力为0．1 MPa；温度高于l 323 K，H2／SiHC13比大于6.6，低压下有利于SiHC13还原生产多晶硅．针对传统的SiHCI3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便，提出了用cl2部分氧化使SiHCI3还原反应体系实现能量耦合的新工艺，即反应过程不需外部加热就可完成，从而节约电耗，同时还发现平衡时体系中加入的cl2能反应完全，不会影响后序工艺的进行．对于SiCh转化反应子系统，高压、低H2／SiCh比有利于生成SiHC13．　　

　　电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～11个9）。其导电性介于 10-4 – 1010 欧厘米。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。

　　就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。

行业现状

    据硅业分会统计，2013年上半年全球多晶硅产量为10万吨，同比减少10%以上。其中太阳能级多晶硅产量8.5万吨以上，电子级多晶硅产量不足1.5万吨；同时，中国产量为2.8万吨，而国外产量为7.2万吨。虽然目前市场价格低于生产成本，但是国外主要多晶硅生产企业开工率仍旧很高，达到80-90%。上半年国外前四大生产企业（德国Wacker公司、韩国OCI、美国Hemlock和美国REC公司）的总产量超过6万吨。如包括中国中能，国际前五家的产量接近8.5万吨，占全球总产量的85%。从国际多晶硅企业产量的情况可以看出，目前多晶硅市场供应充足，国外生产企业正在以低价倾销中国市场，导致中国多晶硅产量不断减少，使企业经营陷入困境。 

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