相变存储器

《相变存储器》是由科学出版社出版的。

半导体存储器是半导体产业的重要组成部分，近几年来随着电子消费市场的快速增长，存储器的市场越来越大。2002年之前，我们主要从事铁电存储器的研究工作，1989年，国际上出现第一块芯片后，铁电存储器发展放缓。当时我们从国际半导体工业协会制定的存储器的RORDMAP以及相变存储器（简称PCRAM）在产业界的超常规发展中看到了其巨大的研究价值，同时通过仔细研读当时有关的专利与文献，看到了PCRAM是一个离实际应用最近的纳电子器件。那时根据国际的研究热点与发展动态，开始部署纳米研究计划，而纳电子器件又是纳米技术的重中之重，于是我们迅速组织了系列的实验论证。通过中国科学院上海微系统与信息技术研究所组织的战略研讨，由封松林所长决策，在2003年3月启动了中国科学院知识创新工程PCRAM的所级创新项目，我作为项目负责人开展了PCRAM的研究工作。
PCRAM具有存储单元尺寸小、非挥发性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点，特别是在器件特征尺寸的微缩方面的优势尤为突出，业界认为在不久的将来存储单元的体积将需要更小，而FLASH将遭遇此限制，但PCRAM在65nm节点后会有越来越大的技术优势。因此，PCRAM被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一，在低压、低功耗、高速、高密度和嵌入式存储方面具有广阔的商用前景。国际上对PCRAM技术非常重视，国际知名半导体公司如Inter、三星、意法半导体、飞利浦、国际商业机器公司和艾必达等花大量人力和物力对此技术进行开发，目前，Inter与意法半导体组建的Numonyx公司及三星公司都增加了PCRAM芯片的产量。
随着三星与IBM等大公司先后加入此研究领域，我们进一步看到了其重大的商业价值，同时也有了时间的紧迫感。在国内产业技术的基础上，在政府科技计划的支持下，产学研有机结合、开拓思路、大胆创新，突破国外专利封锁，走出适合我国国情的PCRAM芯片发展及应用道路已成为当务之急。为了解决工艺加工等技术“瓶颈”，我带领研究人员与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司（简称中芯国际）的有关研究人员经过深人的沟通了解，决定在中芯国际进行前道流片研究，完成前道流片工艺后，我带领研究人员打通了几十道后续工艺，取得了比较满意的测试结果。