双极性晶体管

1947年12月， 贝尔实验室的 约翰·巴丁、 沃尔特·豪泽·布喇顿在 威廉·肖克利的指导下共同发 明了点接触形式的双极性晶体管。1948年， 肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。在其后的大约三十年时间内，这种器件是制造分立元件电路和集成电路的不二选择。

早期的 晶体管是由锗制造的。在1950年代和1960年代，锗晶体管的使用多于硅晶体管。相对于硅晶体管，锗晶体管的截止 电压更小，通常约0.2伏特，这使得锗晶体管适用于某些应用场合。在晶体管的早期历史中，曾有多种双极性晶体管的制造方法被开发出来。

锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生 热失控。由于锗的 禁带宽度较窄，并且要稳定工作则要求的温度相对硅半导体更严，因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。采用硅材料的另一个重要原因是硅在地球上的储量比锗丰富得多（仅次于氧）。

后来，人们也开始使用以 砷化镓为代表的化合物来制造半导体 晶体管。砷化镓的 电子迁移率为硅的5倍，用它制造的晶体管能够达到较高的工作频率。此外，砷化镓 热导率较低，有利于高温下进行的加工。化合物晶体管通常可以应用于高速器件。

双极性晶体管能够提供 信号放大，它在 功率控制、 模拟信号处理等领域有所应用。此外，由于 基极- 发射极 偏置电压与温度、 电流的关系已知，双极性晶体管还可以被用来测量温度。根据基极-发射极电压与基极-发射极和集电极-发射极电流的 对数关系，双极性晶体管也能被用来计算对数或求 自然对数的幂指数。

随着人们对于能源问题的认识不断加深， 场效应管（如 CMOS）技术凭借更低的功耗，在 数字集成电路中逐渐成为主流，双极性晶体管在集成电路中的使用由此逐渐变少。但是应当看到，即使在现代的集成电路中，双极性晶体管依然是一种重要的器件，市场上仍有大量种类齐全、价格低廉的 晶体管产品可供选择。与 金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET，它是场效应管的一种，另一种为 结型场效应管）相比，双极性晶体管能提供较高的 跨导和 输出电阻，并具有高速、耐久的特性，在 功率控制方面能力突出。因此，双极性晶体管依旧是组成模拟电路，尤其是 甚高频应用电路（如无线通信系统中的 射频电路）的重要配件。双极性晶体管可以通过 BiCMOS技术与和MOSFET制作在一块集成电路上，这样就可以充分利用两者的优点（如双极性晶体管的电流放大能力和 场效应管的低功耗特点）^[1]

NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下， 基极- 发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于 正向偏置状态，而基极- 集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于 反向偏置状态。在没有外加 电压时，发射结N区的电子（这一区域的 多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分 空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个 空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的 电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述 扩散过程的进一步发生，从而达成 动态平衡。这时，如果把一个 正向电压施加在发射结上，上述 载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入 基极区域。在 NPN型晶体管里， 基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。

从 发射极被注入到基极区域的电子，一方面与这里的 多数载流子空穴发生复合，另一方面，由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄，并且集电结处于 反向偏置状态，大部分电子将通过漂移运动抵达 集电极区域，形成集电极电流。为了尽量缓解电子在到达集电结之前发生的复合， 晶体管的基极区域必须制造得足够薄，以至于 载流子扩散所需的时间短于 半导体少数载流子的寿命，同时，基极的厚度必须远小于电子的 扩散长度（diffusion length，参见 菲克定律）。在现代的双极性晶体管中， 基极区域厚度的典型值为十分之几微米。需要注意的是，集电极、 发射极虽然都是N型掺杂，但是二者掺杂程度、物理属性并不相同，因此必须将双极性晶体管与两个相反方向二极管串联在一起的形式区分开来。

从 基极区域的少数 载流子浓度出发，可以解释 集电极的载流子流动。如果双极性晶体管为小注入（low level injection），即通过某些物理过程（如光注入或电注入）引入的 非平衡载流子（excess carrier，或称“过剩载流子”）比热平衡时的 多数载流子少得多， 双极性扩散（即非平衡多数载流子和少数载流子以相同速率流动）速率实际上由非平衡少数载流子决定。另外，双极性晶体管处理 高频信号的能力还受限于基极区域载流子的渡越时间。

一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是 发射极区域、 基极区域和 集电极区域。这些区域在 NPN型晶体管中分别是N型、 P型和N型半导体，而在 PNP型 晶体管中则分别是P型、N型和 P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母 E、 B和 C来表示发射极（ Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

基极的物理位置在发射极和集电极之间，它由轻掺杂、高 电阻率的材料制成。集电极包围着基极区域，由于集电结 反向偏置，电子很难从这里被注入到基极区域，这样就造成共 基极电流增益约等于1，而共射极电流增益取得较大的数值。从右边这个典型NPN型双极性晶体管的截面简图可以看出，集电结的面积大于发射结。此外， 发射极具有相当高的掺杂浓度。

在通常情况下，双极性晶体管的几个区域在物理性质、几何尺寸上并不对称。假设连接在电路中的 晶体管位于正向放大区，如果此时将晶体管 集电极和发射极在电路中的连接互换，将使晶体管离开正向放大区，进入反向工作区。晶体管的内部结构决定了它适合在正向放大区工作，所以反向工作区的共基极电流增益和共射极电流增益比晶体管位于正向放大区时小得多。这种功能上的不对称，根本上是缘于发射极和集电极的掺杂程度不同。因此，在 NPN型晶体管中，尽管集电极和发射极都为N型掺杂，但是二者的电学性质和功能完全不能互换。 发射极区域的掺杂程度最高， 集电极区域次之， 基极区域掺杂程度最低。此外，三个区域的物理尺度也有所不同，其中基极区域很薄，并且集电极面积大于发射极面积。由于双极性晶体管具有这样的物质结构，因此可以为集电结提供一个 反向偏置，不过这样做的前提是这个反向偏置不能过大，以致于 晶体管损坏。对发射极进行 重掺杂的目的是为了增加发射极电子注入到基极区域的效率，从而实现尽量高的电流增益。

在双极性晶体管的共射极接法里，施加于基极、发射极两端电压的微小变化，都会造成发射极和集电极之间的电流发生显著变化。利用这一性质，可以放大输入的电流或电压。把双极性晶体管的 基极当做输入端， 集电极当做输出端，可以利用 戴维南定理分析这个 二端口网络。利用等效的原理，可以将双极性晶体管看成是电压控制的 电流源，也可以将其视为电流控制的 电压源。此外，从二端口网络的左边看进去，基极处的 输入阻抗减小到基极电阻的，这样就降低了对前一级电路的负载能力的要求。

NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种，由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（ 基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的 集电极- 发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则 晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于 电子迁移率比 空穴 迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。

NPN型双极性晶体管的电学符号如右图，基极和发射极之间的箭头指向 发射极。

双极性晶体管的另一种类型为 PNP型，由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经 基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型 晶体管的基极电压低于 发射极时， 集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

在双极性晶体管电学符号中，基极和发射极之间的箭头指向电流的方向，这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反，PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极。

异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种 晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于 射频 功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。

异质结是 PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即 发射极区域采用宽禁带材料， 基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用 砷化镓（ GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷 固溶体（Al Ga As）制造发射极区域。采用这样的 异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个 数量级。

采用异质结的双极性晶体管基极区域的掺杂浓度可以大幅提升，这样就可以降低基极电极的电阻，并有利于降低基极区域的宽度。在传统的双极性晶体管，即同质结晶体管中， 发射极到 基极的 载流子注入效率主要是由发射极和基极的掺杂比例决定的。在这种情况下，为了得到较高的注入效率，必须对基极区域进行轻掺杂，这样就不可避免地使增大了基极电阻。

如左边的示意图中，代表 空穴从基极区域到达发射极区域跨越的势差；而则代表电子从发射极区域到达基极区域跨越的势差。由于发射结具有 异质结的结构，可以使，从而提高了发射极的注入效率。在基极区域里，半导体材料的组分分布不均，造成缓变的基极区域 禁带宽度，其梯度为以表示。这一缓变禁带宽度，可以为少数载流子提供一个内在电场，使它们加速通过基极区域。这个漂移运动将与扩散运动产生协同作用，减少电子通过基极区域的渡越时间，从而改善双极性晶体管的 高频性能。

尽管有许多不同的半导体可用来构成异质结晶体管，硅-锗异质结晶体管和铝- 砷化镓异质结晶体管更常用。制造异质结晶体管的工艺为晶体外延技术，例如 金属有机物 气相外延（Metalorganic vapour phase epitaxy, MOCVD）和 分子束外延。

众所周知，按极性可以分为 PNP和NPN两种，按材料一般可以分为硅管和锗管，按 额定功率分为大功率

和小 功率，按封装可以分为贴片和插件，等等。

车载电子系统中，常用的是小功率硅管，为减小体积多用贴片封装。

集电极- 发射极电流可以视为受 基极-发射极电流的控制，这相当于将双极性晶体管视为一种“电流控制”的器件。还可以将它看作是受发射结电压的控制，即将它看做一种“电压控制”的器件。事实上，这两种思考方式可以通过基极-发射极结上的电流电压关系相互关联起来，而这种关系可以用 PN结的电流-电压曲线表示。

人们曾经建立过多种 数学模型，用来描述双极性晶体管的具体工作原理。例如，古梅尔–潘模型（Gummel–Poon Model）提出，可以利用电荷分布来精确地解释 晶体管的行为。上述有关电荷控制的观点可以处理有关 光电二极管的问题，这种二极管基极区域的少数载流子是通过吸收光子（即上一段提到的光注入）产生的。电荷控制模型还能处理有关关断、恢复时间等动态问题，这些问题都与 基极区域 电子和空穴的复合密切相关。然而，由于基极电荷并不能轻松地在基极引脚处观察，因此，在实际的电路设计、分析中，电流、电压控制的观点应用更为普遍。

在模拟电路设计中，有时会采用电流控制的观点，这是因为在一定范围内，双极性晶体管具有近似线性的特征。在这个范围（下文将提到，这个范围叫做“放大区”）内， 集电极电流近似等于 基极电流的倍，这对人们分析问题、控制电路功能有极大的便利。在设计有的基本电路时，人们假定 发射极-基极电压为近似恒定值（如），这时集电极电流近似等于基极电流的若干倍， 晶体管起电流放大作用。

然而，在真实的情况中，双极性晶体管是一种较为复杂的非线性器件，如果 偏置电压分配不当，将使其输出信号失真。此外，即使工作在特定范围，其 电流放大倍数也受到包括温度在内的因素影响。为了设计出精确、可靠的双极性晶体管电路，必须采用电压控制的观点（例如后文将讲述的艾伯斯-莫尔模型）。电压控制模型引入了一个 指数函数来描述电压、电流关系，在一定范围内，函数关系为近似线性，可以将 晶体管视为一个 电导元件。这样，诸如差动 放大器等电路的设计就简化为了线性问题，所以近似的 电压控制观点也常被选用。对于 跨导线性（translinear）电路，研究其电流-电压曲线对于分析器件工作十分关键，因此通常将它视为一个跨导与 集电极电流成比例的电压控制模型。

晶体管级别的电路设计主要使用SPICE或其他类似的模拟电路仿真器进行，因此对于设计者来说，模型的复杂程度并不会带来太大的问题。但在以人工分析模拟电路的问题时，并不总能像处理经典的电路分析那样采取精确计算的方法，因而采用近似的方法是十分必要的。

双极性晶体管的最大 集电极 耗散功率是器件在一定温度与散热条件下能正常工作的最大功率。在条件相同的情况下，如果 实际功率大于这一数值， 晶体管的温度将超出最大许可值，使器件性能下降，甚至造成 物理损坏。

当 集电极电流增大到一定数值后，虽然不会造成双极性晶体管的损坏，但是电流增益会明显降低。为了使 晶体管按照设计正常工作，需要限制集电极电流的数值。除此之外，由于双极性晶体管具有两个 PN结，因此它们的 反向偏置 电压不能够过大，防止PN结反向击穿。双极性晶体管的数据手册都会详细地列出这些参数。

当 功率双极性晶体管集电极的反向偏置电压超过一定数值，并且流经晶体管的电流超出在一定允许范围之内，使得晶体管功率大于 二次击穿临界功率就会产生一种被称为“二次击穿”的危险现象。在这种情况里，超出设计范围的电流将造成器件内部不同区域的局部温度不均衡，部分区域的温度高于其他区域。因为掺杂的硅具有负的 温度系数（temperature coefficient），所以当它处于较高的温度时，其导电性能更强。这样，较热部分就能传导更多的电流，这部分电流会产生额外的热能，造成局部温度将超过正常值，以致于器件不能正常工作。二次击穿是一种 热失控，一旦温度升高， 电导率将进一步提升，从而造成恶性循环，最终严重损毁 晶体管的结构。整个 二次击穿过程只需要 毫秒或微秒量级的时间就可以完成。

如果双极性晶体管发射结提供超出允许范围的 反向偏置，并不对流经晶体管的 电流进行限制，发射结将发生 雪崩击穿，也会造成器件损坏。

作为一种模拟的器件，双极性晶体管的所有参数都会不同程度地受温度影响，特别是电流增益。据研究，温度每升高1 摄氏度，大约会增加0.5%到1%。

双极性晶体管对 电离辐射较为敏感。如果将 晶体管置于电离辐射的环境中，器件将因辐射而受到损害。产生损害是因为辐射将在 基极区域产生 缺陷，这种缺陷将在 能带中形成 复合中心（recombination centers）。这将造成器件中起作用的 少数载流子寿命变短，进而使晶体管的性能逐渐降低。NPN型双极性晶体管由于在辐射环境中， 载流子的有效复合面积更大，受到的负面影响比 PNP型晶体管更显著。在一些特殊的应用场合，如 核反应堆或 航天器中的电子控制系统中，必须采用特殊的手段缓解电离辐射带来的负面效应。

可以根据 晶体管三个终端的的偏置状态，可以定义双极性晶体管几个不同的工作区。在NPN型半导体中（注意： PNP型晶体管和 NPN型晶体管的电压描述恰好相反），按发射结、集电结的偏置情况，工作区可以分为为

正向放大区（或简称 放大区）：当发射结 正向偏置，集电结 反向偏置时，晶体管工作在放大区。大多数双极性晶体管的设计目标，是为了在正向放大区得到最大的共射极电流增益bf。 晶体管工作在这一区域时， 集电极- 发射极电流与 基极电流近似成 线性关系。由于电流增益的缘故，当基极电流发生微小的扰动时，集电极-发射极电流将产生较为显著变化。

反向放大区：如果把上述处于正向放大区晶体管发射极、集电极的 偏置电压互换，则双极性晶体管将工作在反向放大区。在这种工作模式中，发射极和集电极区域扮演的角色与正向放大区里正好相反，但是由于晶体管集电极的掺杂浓度低于发射极，反向放大区产生的效果与正向放大区并不相同。大多数双极性晶体管的设计目标是尽可能得到最大正向放大电流增益，因此，反向放大区中的电流增益会比正向放大区中小一些（在常规的锗 晶体管中大约是2-3倍）。实际上，这种工作模式几乎不被采用，但是为了防止错误接法造成器件损坏或其他危险，设计时必须予以考虑。此外，有些类型的双极性逻辑器件也会考虑反向放大区的情况。

饱和区：当双极性晶体管中两个 PN结均处于 正向偏置时，它将处于饱和区，这时，晶体管 发射极到 集电极的电流达到最大值，即使增加 基极电流，输出的电流也不会再增加。饱和区可以在逻辑器件中用来表示 高电平。

截止区：如果双极性晶体管两个PN结的偏置情况与饱和区恰好相反，那么晶体管将处于截止区。在这种工作模式下，输出电流非常小（小 功率的硅晶体管小于1 微安，锗 晶体管小于即使微安），在 数字逻辑中可以用来表示 低电平。

雪崩击穿：当施加在集电结上的 反向偏置将超过集电结所能承受范围时，这个 PN结将被击穿，若电流足够大会造成器件损坏。

此外，分析、设计双极性晶体管电路时，还应当注意不能超过双极性晶体管的 最大集电极耗散功率 Pcm。如果晶体管的工作功率小于这一数值，这些工作状态的集合称为安全工作区。如果晶体管的工作功率超过这个限度，将造成器件温度超过正常范围，器件的性能将产生较大的变化，甚至造成损坏。硅晶体管允许的结温度介于150 摄氏度和200摄氏度之间。可以通过降低内 热阻、使用 散热片和引入风冷、 水冷、油冷等措施来提高最大允许 耗散功率。

实际上，上述工作区之间并没有绝对的界限，在较小 电压变化（小于几百毫伏）范围内，上面提到的不同区域之间可能有一定的重叠。