硅

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发现简史

硅1787年,拉瓦锡首次发现硅存在于岩石中。

1800年,戴维将其错认为一种化合物。

1811年盖-吕萨克和泰纳尔(Thenard, Louis Jacques)加热钾和四氟化硅得到不纯的无定形硅,根据拉丁文silex(燧石)命名为silicon。

1811年,Gay-Lussac和Thenard以矽(硅)的四氟化物与碱土金属反应,发现在反应当中生成赤褐色的化合物(可能是含不纯物无定形的矽)。

1823年,硅首次作为一种元素被永斯·雅各布·贝采利乌斯发现,并于一年后提炼出了无定形硅,其方法与盖-吕萨克使用的方法大致相同。他随后还用反复清洗的方法将单质硅提纯。

1823年,Berzelius以氧化矽(硅)的粉末,加以铁,碳的混和物在高温下加热,得到矽(硅)化铁。但是为了抽取纯的矽(硅),他使用矽(硅)-氟-钙的化合物,干烧之后得到的固体,加水分解得到纯的矽(硅)。

发现硅的荣誉归属于瑞典化学家Jöns Jacob Berzelius,在斯德哥尔摩(瑞典首都)于1824年,他通过加热氟硅酸钾和钾获取了硅。这个产物被硅酸钾污染,但他把它放在水中搅拌,会与之反应,因此得到了相对纯净的硅粉末。

1824年永斯·雅各布·贝采利乌斯用同样的方法,但经过反复洗涤除去其中的氟硅酸,得到纯无定形硅。

结晶性的矽则到了1854年才被提炼出来。矽(硅)的拉丁文是silicium,意为"坚硬之石"。

1854年H·S·C·德维尔第一次制得晶态硅。

单晶硅及抛光硅片单晶硅及抛光硅片硅名称的由来:英文silicon,来自拉丁文的silex,silicis,意思为燧石(火石)。 民国初期,学者原将此元素译为“硅”而令其读为“xi(圭旁确可读xi音)”(又,“硅”字本为“砉”字之异体,读huo)。然而在当时的时空下,由于拼音方案尚未推广普及,一般大众多误读为gui。由于化学元素译词除中国原有命名者,多用音译,化学学会注意到此问题,于是又创 “矽”字避免误读。台湾沿用“矽”字至今。中国大陆在1953年2月,中国科学院召开了一次全国性的化学物质命名扩大座谈会,有学者以“矽”与另外的化学元素“锡”和“硒”同音易混淆为由,通过并公布改回原名字“硅”并读“gui”,但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。有趣的是,矽肺与矽钢片等词汇至今仍用矽字。在香港,两用法皆有,但“矽”较通用。

矿藏分布

硅的DFT能带结构硅的DFT能带结构硅的丰度,引起早期化学家的兴趣。矽(硅)在地球表面的含量仅次于氧,占有将近28%.但是矽(硅)元素并非最早被发现的元素,那是因为从矽(硅)的氧化物中要将矽还原出来是一件非常困难的事。

硅约占地壳总重量的25.7%,仅次于氧。在自然界中,硅通常以含氧化合物形式存在,其中最简单的是硅和氧的化合物硅石SiO2。石英、水晶等是纯硅石的变体。矿石和岩石中的硅氧化合物统称硅酸盐,较重要的有长石KAlSi3O8、高岭土Al2Si2O5(OH)4、滑石Mg3(Si4O10)(OH)2、云母KAl2(AlSi3O10)(OH)2、石棉H4Mg3Si2O9、钠沸石Na2(Al2Si3O10)·2H2O、石榴石Ca3Al2(SiO4)3、锆石英ZrSiO4和绿柱石Be3Al2Si6O18等。土壤、黏土和砂子是天然硅酸盐岩石风化后的产物。

基于硅材料的电子产品基于硅材料的电子产品硅在自然界分布很广,在地壳中的原子百分含量为16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素,以石英砂和硅酸盐出现。

硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成一切有机生命的基础,那么硅对于地壳来说,占有同样的位置,因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的。这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。长石、云母、黏土、橄榄石、角闪石等等都是硅酸盐类;水晶、玛瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。[4]

理化性质

物理性质

硅原子结构三维图硅原子结构三维图有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色,无定形硅为黑色,密度2.32-2.34克/立方厘米,熔点1410℃,沸点2355℃,晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

系列 类金属
ⅣA族
周期 3
元素分区 p区
密度 2328.3 kg/m³
常见化合价 +4
硬度 6.5
地壳含量 25.7%
弹性模量 190GPa(有些文献中为这个值)
密度 2.33g/cm³(18℃)
熔点 1687K(1414℃)
沸点 3173K(2900℃)
摩尔体积 12.06×10⁻⁶m³/mol
汽化热 384.22kJ/mol
熔化热 50.55 kJ/mol
蒸气压 4.77Pa(1683K)
间接带隙 1.1eV (室温)
电导率 2.52×10⁻⁴ /(米欧姆)
电负性 1.90(鲍林标度)
比热 700 J/(kg·K)

原子核外电子排布:1s²2s²2p⁶ 3s²3p²;

晶胞类型:立方金刚石型;

晶胞参数:20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm;

颜色和外表: 深灰色、带蓝色调;

采用纳米压入法测得单晶硅(100)的E为140~150GPa;

电导率:硅的电导率与其温度有很大关系,随着温度升高,电导率增大,在1480℃左右达到最大,而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。

电负性 1.90(鲍林标度)
热导率 148 W/(m·K)
第一电离能 786.5 kJ/mol
第二电离能 1577.1 kJ/mol
第三电离能 3231.6 kJ/mol
第四电离能 4355.5 kJ/mol
第五电离能 16091 kJ/mol
第六电离能 19805 kJ/mol
第七电离能 23780 kJ/mol
第八电离能 29287 kJ/mol
第九电离能 33878 kJ/mol
第十电离能 38726 kJ/mol

同位素:

符号 Z(p) N(n) 质量(u) 半衰期 原子核自旋 相对丰度 相对丰度的变化量
22Si 14 8 22.03453(22)# 29(2)ms 0+
23Si 14 9 23.02552(21)# 42.3(4)ms 3/2+#
24Si 14 10 24.011546(21) 140(8)ms 0+
25Si 14 11 25.004106(11) 220(3)ms 5/2+
26Si 14 12 25.992330(3) 2.234(13)s 0+
27Si 14 13 26.98670491(16) 4.16(2)s 5/2+
28Si 14 14 27.9769265325(19) 稳定 0+ 0.92223(19) 0.92205-0.92241
29Si 14 15 28.976494700(22) 稳定 1/2+ 0.04685(8) 0.04678-0.04692
30Si 14 16 29.97377017(3) 稳定 0+ 0.03092(11) 0.03082-0.03102
31Si 14 17 30.97536323(4) 157.3(3)min 3/2+
32Si 14 18 31.97414808(5) 170(13)a 0+
33Si 14 19 32.978000(17) 6.18(18)s (3/2+)
34Si 14 20 33.978576(15) 2.77(20) s 0+
35Si 14 21 34.98458(4) 780(120) ms 7/2-#
36Si 14 22 35.98660(13) 0.45(6)s 0+
37Si 14 23 36.99294(18) 90(60)ms (7/2-)#
38Si 14 24 37.99563(15) 90# ms [>1 µs] 0+
39Si 14 25 39.00207(36) 47.5(20) ms 7/2-#
40Si 14 26 40.00587(60) 33.0(10) ms 0+
41Si 14 27 41.01456(198) 20.0(25) ms 7/2-#
42Si 14 28 42.01979(54)# 13(4) ms 0+
43Si 14 29 43.02866(75)# 15# ms [>260 ns] 3/2-#
44Si 14 30 44.03526(86)# 10# ms 0+

备注:1.画上#号的数据代表没有经过实验的证明,只是理论推测而已,而用括号括起来的代表数据不确定性。

2.有三种天然的稳定同位素Si(92.2%)、Si(4.7%)和Si(3.1%),还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。

3.硅(原子质量单位: 28.0855,共有23种同位素,其中有3种同位素是稳定的。

化学性质

系列 类金属
ⅣA族
周期 3
元素分区 p区
密度 2328.3 kg/m³
常见化合价 +4
硬度 6.5
地壳含量 25.7%
弹性模量 190GPa(有些文献中为这个值)
密度 2.33g/cm³(18℃)
熔点 1687K(1414℃)
沸点 3173K(2900℃)
摩尔体积 12.06×10⁻⁶m³/mol
汽化热 384.22kJ/mol
熔化热 50.55 kJ/mol
蒸气压 4.77Pa(1683K)
间接带隙 1.1eV (室温)
电导率 2.52×10⁻⁴ /(米欧姆)
电负性 1.90(鲍林标度)
比热 700 J/(kg·K)

制取方法

电负性 1.90(鲍林标度)
热导率 148 W/(m·K)
第一电离能 786.5 kJ/mol
第二电离能 1577.1 kJ/mol
第三电离能 3231.6 kJ/mol
第四电离能 4355.5 kJ/mol
第五电离能 16091 kJ/mol
第六电离能 19805 kJ/mol
第七电离能 23780 kJ/mol
第八电离能 29287 kJ/mol
第九电离能 33878 kJ/mol
第十电离能 38726 kJ/mol

应用领域

符号 Z(p) N(n) 质量(u) 半衰期 原子核自旋 相对丰度 相对丰度的变化量
22Si 14 8 22.03453(22)# 29(2)ms 0+
23Si 14 9 23.02552(21)# 42.3(4)ms 3/2+#
24Si 14 10 24.011546(21) 140(8)ms 0+
25Si 14 11 25.004106(11) 220(3)ms 5/2+
26Si 14 12 25.992330(3) 2.234(13)s 0+
27Si 14 13 26.98670491(16) 4.16(2)s 5/2+
28Si 14 14 27.9769265325(19) 稳定 0+ 0.92223(19) 0.92205-0.92241
29Si 14 15 28.976494700(22) 稳定 1/2+ 0.04685(8) 0.04678-0.04692
30Si 14 16 29.97377017(3) 稳定 0+ 0.03092(11) 0.03082-0.03102
31Si 14 17 30.97536323(4) 157.3(3)min 3/2+
32Si 14 18 31.97414808(5) 170(13)a 0+
33Si 14 19 32.978000(17) 6.18(18)s (3/2+)
34Si 14 20 33.978576(15) 2.77(20) s 0+
35Si 14 21 34.98458(4) 780(120) ms 7/2-#
36Si 14 22 35.98660(13) 0.45(6)s 0+
37Si 14 23 36.99294(18) 90(60)ms (7/2-)#
38Si 14 24 37.99563(15) 90# ms [>1 µs] 0+
39Si 14 25 39.00207(36) 47.5(20) ms 7/2-#
40Si 14 26 40.00587(60) 33.0(10) ms 0+
41Si 14 27 41.01456(198) 20.0(25) ms 7/2-#
42Si 14 28 42.01979(54)# 13(4) ms 0+
43Si 14 29 43.02866(75)# 15# ms [>260 ns] 3/2-#
44Si 14 30 44.03526(86)# 10# ms 0+

生理功能

Si的热力学数据(来源于JANAF表格)Si的热力学数据(来源于JANAF表格)硅有明显的非金属特性,可以溶于碱金属氢氧化物溶液中,产生(偏)硅酸盐和氢气。

硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序数为Z=14,核外有14个电子。电子在原子核外,按能级由低硅原子到高,由里到外,层层环绕,这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子,第二层有8个电子,达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子,它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。

正因为硅原子有如此结构,所以有其一些特殊的性质:最外层的4个价电子让硅原子处于亚稳定结构,这些价电子使硅原子相互之间以共价键结合,由于共价键比较结实,硅具有较高的熔点和密度;化学性质比较稳定,常温下很难与其他物质(除氟化氢和碱液以外)发生反应;硅晶体中没有明显的自由电子,能导电,但导电率不及金属,且随温度升高而增加,具有半导体性质。

加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。

分类:纯净物、单质、非金属单质。

(1)与单质反应:

Si + O₂ == SiO₂,条件:加热

Si + 2F₂ == SiF₄

Si + 2Cl₂ == SiCl₄,条件:高温

(2)高温真空条件下可以与某些氧化物反应:

2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO₂(硅热还原法炼镁)

(3)与酸反应:

只与氢氟酸反应:Si + 4HF == SiF₄↑ + 2H₂↑

(4)与碱反应:Si + 2OH+ H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑(如NaOH,KOH)

注意:硅、铝是既能和酸反应,又能和碱反应,放出氢气的单质。

相关方程式:

Si+O₂=高温= SiO₂

Si + 2OH⁻ + H₂O == SiO₃²⁻+ 2H₂↑

Si+2F₂== SiF₄

Si+4HF== SiF₄↑+2H₂↑

SiO₂ + 2OH⁻== SiO₃²⁻+ H₂O

SiO₃²⁻+ 2NH₄⁺+ H₂O == H₄SiO₄↓ + 2NH₃↑

SiO₃²⁻+ CO₂ + 2H₂O == H₄SiO₃↓+ CO₃²⁻

SiO₃²⁻+ 2H⁺== H₂SiO₃↓

SiO₃²⁻+2H⁺+H₂O == H₄SiO₄↓

硅原子结构二维图硅原子结构二维图H₄SiO₄ == H₂SiO₃ + H₂O

3SiO₃²⁻+ 2Fe³⁺== Fe₂(SiO₃)₃↓

3SiO₃²⁻+2Al³⁺==Al₂(SiO₃)₃↓

Na₂CO₃ + SiO₂ =高温= Na₂SiO₃ + CO₂ ↑

相关化合物:

二氧化硅、硅胶、硅酸盐、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、

原子属性:

原子量:28.0855u;

原子核亏损质量:0.1455u;

原子半径:(计算值)110(111)pm;

共价半径:111 pm;

范德华半径:210 pm;

外围电子层排布:3s²3p²;引

电子在每个能级的排布:2,8,4;

电子层:KLM;

氧化性(氧化物):4(两性的)。

常见谣言

硅的制取装置硅的制取装置实验室里可用镁粉在赤热下还原粉状二氧化硅,用稀酸洗去生成的氧化镁和镁粉,再用氢氟酸洗去未作用的二氧化硅,即得单质硅。这种方法制得的都是不够纯净的无定形硅,为棕黑色粉末。工业上生产硅是在电弧炉中还原硅石(SiO2含量大于99%)。使用的还原剂为石油焦和木炭等。使用直流电弧炉时,能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低(0.3%~0.8%),采用质量高的硅石(SiO2大于99%),可直接炼出制造硅钢片用的高质量硅。高纯的半导体硅可在1,200℃的热硅棒上用氢气还原高纯的三氯氢硅SiHCl3或SiCl4制得。超纯的单晶硅可通过直拉法或区域熔炼法等制备。

用镁还原二氧化硅可得无定形硅。用碳在电炉中还原二氧化硅可得晶体硅。电子工业中用的高纯硅则是用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅而制得。

词条图册

硅晶圆片硅晶圆片1、高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路(包括人们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

2、金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。可应用于军事武器的制造。第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时摩擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。

3、光导纤维通信,最新的现代通信手段。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维。激光可在玻璃纤维的通路里,发生无数次全反射而向前传输,代替了笨重的电缆。光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话;而且它还不受电、磁的干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。光纤通信将会使21世纪人类的生活发生革命性巨变。

4、性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清新。

5、由于有机硅独特的结构,兼备了无机材料与有机材料的性能,具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质,并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性,广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等行业,其中有机硅主要应用于密封、粘合、润滑、涂层、表面活性、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。随着有机硅数量和品种的持续增长,应用领域不断拓宽,形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系,许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。

6、硅可以提高植物茎秆的硬度,增加害虫取食和消化的难度。尽管硅元素在植物生长发育中不是必需元素,但它也是植物抵御逆境、调节植物与其他生物之间相互关系所必需的化学元素。

硅在提高植物对非生物和生物逆境抗性中的作用很大,如硅可以提高植物对干旱、盐胁迫、紫外辐射以及病虫害等的抗性。硅可以提高水稻对稻纵卷叶螟的抗性,施用硅后水稻对害虫取食的防御反应迅速提高,硅对植物防御起到警备作用。

水稻在受到虫害袭击时,硅可以警备水稻迅速激活与抗逆性相关的茉莉酸途径,茉莉酸信号反过来促进硅的吸收,硅与茉莉酸信号途径相互作用影响着水稻对害虫的抗性。

相关百科
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