DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代 内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用 FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定业务

回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人 电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2内存拥有240个引脚（不包括定位槽），笔记本内存为200个引脚

DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间（反面位于第184和185引脚之间）

DDR2内存均采用 FBGA( 细间距球栅阵列)封装形式，特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面

DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压（数据线用）

DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行

DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路，也有少数采用调压方式供电

DDR内存为184引脚（不包括定位槽）

DDR内存定位槽位于第52和53引脚之间（反面位于第144和145针脚之间）

DDR内存多采用 TOSP II封装形式

DDR内存工作电压2.5V

DDR内存预读取能力为DDR2的二分之一

DDR3内存的引脚数封装方式与DDR2相同

DDR3内存定位槽位于第72和73引脚之间（反面位于第192和193针脚之间）

DDR3内存工作电压1.5V

DDR3内存预读取能力为DDR2的二倍

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。