砷化镓材料

gallium arsenide material Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。它具有一些优于硅的能，已成为仅次于硅材料的重要半导体材料。H.韦尔于1952年提出的Ⅲ－Ⅴ族化合物具有优良的半导电性质。 当时从禁带宽度和电子迁移率推测 砷化镓兼具硅和锗优点，于是开展了对砷化镓等化合物半导体材料的研究。 最初10年进展不大。1962年 砷化镓激光器问世以后，化镓器件发展很快。