北京国晶辉红外光学科技有限公司

公司还从事先进红外材料的开发研制工作，包括大尺寸的CVD ZnS、CVD ZnSe、CVD GaP、蓝宝石材料等。材料的精加工、镀膜也具备一定的实力并在不断的研究改进中。

◇ 1956年初　 成立金属锗制取研究组。

◇ 1956年6月　研制出我国第一颗金属锗。填补了我国锗的空白。

◇ 1958年6月　研制出我国第一根从原材料到单晶全部自产的锗单晶。

◇ 1960年　 研制成功组分均匀可控的锗稼合金球。

◇ 1964年　 建成我国第一个高纯锗车间。在我国最早形成高纯锗的批量生产能力；用直拉法制成多种规格的掺金锗单晶。

◇ 1966年　 研制成功直径在50mm-60mm锂补偿型探测器用锗单晶，达到国际同类产品水平。

◇ 1973年　 成功研制出我国第一个平面型高纯锗核探测器，其能量分辨率接近国际同类产品水平。

◇ 1977年　 建成国内第一条光纤用四氯化锗生产线。

◇ 1979年　 研制成功红外用锗单晶，直径达280mm，达国际先进水平并出口。

◇ 1983年 　锗制取研究组整体更名为北京有色金属研究院红外材料研究所。成立冶金系统半导体锗材料检测中心，负责起草了锗产品及检测方法和国家行业标准12项。

◇ 1985年 　研制成功羟基共基锗倍半氧化物（Ge-132）产品质量达日本同类产品水平。

◇ 1989年 　光纤用四氯化锗获中国有色院工业总公司科技进步三等奖。

◇ 1992年 　研制成功透过1-15μm波段硫系含锗玻璃，达到国际水平。

◇ 1994年 　红外用大直径成型多晶锗获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖；有机锗（Be-132）通过中国有色金属工业总公司科学技术成果鉴定。

◇ 1999年3月 　红外材料研究所整体并入有研半导体材料股份有限公司。更名为有研半导体材料股份有限公司锗分厂。

◇ 2000年6月　整体改制为北京国晶辉红外光学科技有限公司。

◇ 2002年 　研制成功我国第一根12英寸锗单晶；承接国家发展计划委员会批准的《国家高技术产业化新材料专项新一代光纤用高纯四氯化锗高技术产业化示范工程项目》，研制成功Ø180mmCVDZnS。

◇2003年 研制成功CVD ZnS并建成生产线。

◇2004年 红外光学镀膜技术开发成功。

◇2005年 新建300m2 厂房竣工。产品通过ISO 9000 质量体系认证。

◇2006年 GeCl4 生产线扩产，产能达到40吨/年。

总经理办公室、财务部、采购部、市场部、销售部、质量管理部、科研管理部、锗晶体生产部、高纯化学品部等。

企业精神：精于技术，勇于创新，善于合作，乐于奉献。

核心理念： 光电材料，您成功的基石!

企业愿景： 成为世界光电材料领域的知名供应商之一。