磁敏电阻器的阻值随磁场的变化而变化,利用磁敏电阻器阻值的变化,可精确地测试出磁场的相对位移。
磁敏器结构:采用锑化铟(InSb)或神化铟(InAs)等材料,根据半导体的磁阻效应制成的。磁敏电阻器多采用片形膜式封装结构,有两端、三端(内部有两只串联的磁敏电阻)之分。
磁敏电阻器的文字符号: 用“RM”或“ R”表示。