吴汉明

吴汉明

中文名 吴汉明
毕业院校 美国加州大学伯克利分校
国籍 中国
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人物经历

中科院研究生院等离子体专业博士,美国加州大学伯克利分校半导体等离子体工艺专业博士后,现任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁,兼任国内多所大学客座教授。

北京市十四届人大代表,大兴区政协常委。

2013年被评为北京市首批“北京学者”。

2024年1月,任浙江大学集成电路学院院长。[2]

荣誉记录

2008年国家科技进步二等奖

2013年国家科技进步二等奖(第一完成人),并承担国家863项目和重大科技专项,共有46项发明专利,著有近70篇论文。

2019年11月22日,当选为中国工程院院士。[4]

研究方向

研发高密度等离子体刻蚀,研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求,研究结果申报了国家发明专利,发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用。

研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用。

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