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问 新能源材料与器件哪个学校最好
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问 新能源材料与器件就业
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问 燃气电磁阀，都哪些元器件组成？
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问 ABB550变频器的功率器件是什么?
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问 谁知道 一种电路元器件，产生脉冲的........
9083bcfca97f 用一把手电筒就能遥控各种家用电器工作与否，这是多么令人向往而有趣的事呀！这不是梦想，赶快按照下面的介绍动手去实现吧！ 这种遥控开关与普通手电筒配合使用，能够在10m范围内有效遥控普通电视机、收录机、电风扇和照明灯具等家用电器具“开”或“关”，具有良好地性能和使用价值。 一、工作原理 手电筒光遥控交流开关的电路如图1所示。电路核心器件为一国产新型记忆自锁继电器K，它采用脉冲吸合、复位的工作方式，既简化电路、降低成本、节省电耗，又能很方便地实现开关的双稳态控制。220V交流电经电阻器R2限流、晶体二极管VD3半波整流、稳压二极管VD2稳压和电容器C2滤波后，输出12V直流电压，供控制电路用电。这里R2取值很大，既使开关自身耗电超不过43mW，又利于VS导通后自行关断；C2容量也取得比较大，可使其具有一定储能作用，以满足K动作时线圈所必需的脉冲电功率。 平时，光敏三极管VT无光照射呈较高阻值，单向晶闸管VS因无触发电流而处于截止状态，K不吸合。当用手电筒照射一次VT时，VT受光照呈低阻值，R1两端就产生一正脉冲电压，通过C1耦合至VS控制极，触发VS导通。于是，C2通过K的线圈快速放电，放电电流使K吸合，由其触点KH接通被控用电器电源。C2放电结束后，由于R2输出电流（实测仅0.44mA）小于VS维持导通电流，故VS自行关断。但K却依靠内部特殊机械结构保持“锁定”，实现用电器始终通电工作。当再次用手电筒照射VT时，VS再次导通，已充好电的C2通过K线圈又一次快速放电，放电电流使K释放，由KH自动切断用电器电源。 二、元器件选择 K采用新颖工作电压是12V的ZS-01F型记忆自锁继电器，它实质上是一种静态不耗电的双稳态继电器；其外形尺寸及引脚排布如图2所示。该器件共有5个端子，其中3个触点（一组转换触点）端子，2个触发（线圈）端子。触发脉冲正、负均可（电源极性可以任意调换），每触发一次继电器状态变换一次，触发后由继电器内部特殊的机械结构来保持触点状态“锁定”，不需给继电器再加电，这是有别于普通继电器的最大特征之一。该器件的转换触点负荷为3A×220V（交流），工作寿命达10万次，完全满足控制一般家用电器的要求。 VS用MCR100-1或BT169、2N6565等型硅塑料封装小型单向晶闸管。VT用3DU12、3DU22等型硅光敏三极管，亦可用亮阻≤1kΩ、暗阻≥1MΩ的普通光敏电阻器来代替（经实际试验，证明效果良好）。VD1用1N4148型硅开关二极管，其作用是为C1提供放电回路；VD2用12V、0.25W普通硅稳压二极管，如2CW60、1N4106型等；VD3用1N4007型硅整流二极管。 R1、R2均用RTX-1/4W型碳膜电阻器。C1、C2用CD11-16V型电解电容器。XS用机装式交流电两孔（或三孔）插座，亦可用普通壁式插座代替。XP用市售交流电两极（或三极）电源插头。 三、制作与使用 图3所示为该遥控开关的印制电路板接线图，印制板实际尺寸约40mm×35mm。整个电路可焊装在一个绝缘密闭小盒（如塑料香皂盒）内。XS固定在盒面板上所开的孔中，XP通过长约1m的双股电线引出盒外。VT则固定在盒侧前面所开的孔中，使之能够有效接收手电筒的光束。为避免周围其它突变光源干扰VT，须在VT前面加装上一段用黑铁皮做成的管形（亦可用黑塑料笔杆加工成）遮光罩。 如果该开关仅用于控制单一用电器，还可不用外壳，而将焊接好的电路板直接装入欲遥控电视机、电风扇、照明灯等的机箱或底座腔内。这时，XS和XP可省掉不用，使制作更加简单。 制做成的光遥控开关，无须任何调试便可投入使用。由于C2充电需要时间，故每次遥控“开（关）”后，须经5s后方可再次遥控“关（开）”，之前进行遥控不会改变开关状态。这一特点对开关工作可靠性十分有益，它能有效排除每次手电筒光断续照射VT（实际中无法避免）而造成的开关频繁动作。该开关可控制500W以内（纯感性负载限制在100W内）的各种220V交流用电器具。
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问 三极管和场效应管是什么控制器件
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问 半导体器件的识别方法?
48290f00558a 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 2（二极管）、 3（三极管） 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时： A（N 型锗材料）、 B（P 型锗材料）、 C（N 型硅材料）、 D（P 型硅材料）。表示三极管时： A （PNP 型锗材料）、 B（NPN 型锗材料）、 C（PNP 型硅材料）、 D（NPN 型硅材料）。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。 P（普通管）、 V（微波管）、 W（稳压管）、 C（参量管）、 Z（整流管）、 L（整流堆）、 S（隧道管）、 N（阻尼管）、 U（光电器件）、 K（开关管）、 G（高频小功率管）、 D（低频大功率管）、 X（低频小功率管）、 T（半导体晶闸管）、 Y（体效应器件）、 B（雪崩管）、 J（阶跃恢复管）、 CS（场效应管）、 BT（半导体特殊器件）、 FH（复合管）、 PIN（PIN 型管）、 JG（激光器件）。 第四部分：用数字表示序号。 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。 示例： 2AP92（二极管）； A（N型锗材料）； P（普通管）； 9（序号） 3DG18 3（三极管）； D（NPN 型硅材料）； G（高频小功率）； 18（序号） 3AX81B3（三极管）； A（PNP型锗材料）； X（低频小功率管）； 81（序号）； B（规格号） 第4部分的序号常常用来定义其电压值或者HFE的分档范围,如3DG18与3DG19,
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问 半导体器件型号由哪些部分组成？
d603723163c7 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
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问 半导体器件的命名方法
ef78f2774f50 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6～1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
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问 光电器件与太阳能的关系
嗯咯! 
3条回答
快乐无限 
非常可靠 
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