问CCD传感器和CMOS传感器有什么区别？

不管，ccd 或 cmos，基本上两者都是利用矽感光二极体（photodiode）进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号。　　比较 ccd 和 cmos 的结构，adc的位置和数量是最大的不同。简单的说，按我们在上一讲“ccd 感光元件的工作原理（上）”中所提之内容。ccd每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 ccd 旁的放大器进行放大，再串联 adc 输出；相对地，cmos 的设计中每个像素旁就直接连着 adc（放大兼类比数字信号转换器），讯号直接放大并转换成数字信号。 两者优缺点的比较    ccd    cmos 设计    单一感光器    感光器连接放大器 灵敏度 同样面积下高    感光开口小，灵敏度低 成本    线路品质影响程度高，成本高    cmos整合集成，成本低 解析度 连接复杂度低，解析度高    低，新技术高 噪点比 单一放大，噪点低    百万放大，噪点高 功耗比 需外加电压，功耗高    直接放大，功耗低 　　由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。ccd的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性；cmos的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。　　整体来说，ccd 与 cmos 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 iso 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异：　　iso 感光度差异：由于 cmos 每个像素包含了放大器与a/d转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此 相同像素下，同样大小之感光器尺寸，cmos的感光度会低于ccd。　　成本差异：cmos 应用半导体工业常用的 mos制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失；相对地 ccd 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障（fail），就会导致一整排的 讯号壅塞，无法传递，因此ccd的良率比cmos低，加上另辟传输通道和外加 adc 等周边，ccd的制造成本相对高于cmos。　　解析度差异：在第一点“感光度差异”中，由于 cmos 每个像素的结构比 ccd 复杂，其感光开口不及ccd大， 相对比较相同尺寸的ccd与cmos感光器时，ccd感光器的解析度通常会优于cmos。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的cmos 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计，cmos 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。　　噪点差异：由于cmos每个感光二极体旁都搭配一个 adc 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 adc 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的ccd，cmos最终计算出的噪点就比较多。　　耗电量差异：cmos的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但ccd却为被动式， 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（v）以上的水平，因此 ccd 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 ccd 的电量远高于cmos。　　尽管 ccd 在影像品质等各方面均优于cmos，但不可否认的cmos具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。 由于数码影像的需求热烈，cmos的低成本和稳定供货，成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新，使得 ccd 与 cmos 两者的差异逐渐缩小 。新一代的ccd朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入照相手机的行动通讯市场；cmos系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合，藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现， 特别是 canon 系列的 eos d30 、eos 300d 的成功，足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素 cmos 所产生的影像处理时间与能力的缩短；另外，大尺寸全片幅则以 kodak dcs pro14n、dcs pro/n、dcs pro/c 这一系列的数码机身为号召，cmos未来跨足高阶的影像市场产品，前景可期。

区别就是CCD（电荷耦合元件）出现的早，是第一代图像传感器，时间久技术成熟。CMOS（互补金属氧化物半导体）是后来出现的，但发展的很迅速，也许未来会替代CCD。