沟道是 半导体中由于外加 电场引起的沿 长度方向的导电层。如MOS 结构中当施加外部电场时在半导体 表面形成的 积累层及 反型层。
在 场效应晶体管中,源区和漏区之间有一薄半导体层, 电流在其中 流动受 栅极电势的 控制。沟道 宽度是表 征 集成电路集成度的重要 标志。 商品集成电路中场效应晶体管的沟道宽度已小到0.25微米,每个 芯片上 包含了7亿多个 晶体管。