齐纳击穿

中文名齐纳击穿

情况发生在低反压、高掺杂的情况下

目录导航

基本内容

　　ZENER BREAKDOWN

　　在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。

　　齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

相关百科