韩秀峰

自旋电子学的材料、物理及器件原理研究。 　　过去的主要工作及获得的成果：主要从事纳米磁性薄膜、磁性隧道结材料、新型稀土永磁以及磁各向异性理论和自旋电子输运性质的研究工作。在SCI收录的国际学术杂志上发表论文80余篇，其中有60余篇论文同时也被EI收录。有关新相化合物R3（Fe，T）29及其永磁体的研究工作获1997年东京第四届国际材料大会（IUMRS）优秀青年学者奖。2000年1月在日本东北大学用CoFe合金制备出当时国际最高记录的室温磁电阻比值为50%、4.2K为70%的磁隧穿电阻结，这种磁隧穿电阻结是制备磁动态随机存储器（MRAM）的较佳材料。通过引入各向异性的自旋波波长截止能量ECγ，改进了一种隧穿电子自旋极化输运理论。这些研究工作对研制用于计算机的新一代磁动态随机存储器和磁头及其它磁敏感器件等具有重要的实验和理论价值。2003年12月他和研究生及合作者在非晶Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B磁性隧道结和半金属La-Sr-Mn-O复合磁性隧道结研究方面获得了4.2K隧穿磁电阻分别超过100%和3000%的重要进展，从隧道结器件层次上印证了非晶合金Co-Fe-B的高自旋极化率和La-Sr-Mn-O半金属性质的可利用性。2003年提交专利申请10项。

1.磁性隧道结和隧穿磁电阻（TMR）效应及磁随机存储器（MRAM）器件原理的研究； 　　2.基于自旋阀和磁性隧道结的磁电阻材料及其磁敏传感器的研究； 　　3.高密度垂直磁记录介质材料的制备及其磁性质研究； 　　4.纳米约束磁电阻材料的微制备及自旋输运性质的研究； 　　5.半金属和金属氧化物复合磁性隧道结的微制备及其自旋输运性质的研究。