碳化硅涂层

SiC具有优异的物理化学性能，如高熔点、高硬度、耐腐蚀、抗氧化等，特别是在1800-2000℃范围，具有良好的抗烧蚀性能，因此，在航空航天、兵器装备等领域具有广阔的应用前景。但SiC本身不能作为结构材料使用，所以通常采用制备涂层的方法，以利用其耐磨性以及抗烧蚀性。

1、化学气相沉积（ CVD）

将需制备SiC涂层的试样放入反应管中，以MTS为先驱体原料，在950-1300℃、负压条件下沉积SiC涂层在试样表面。

2、先驱体转化法（ PIP）

将试样进行预处理后，放入浸渍罐中，对浸渍罐抽真空，再注入浸渍溶液，加压浸渍，减压取出试样。在炉中进行裂解，炉冷至室温取出，即可在试样表面实现SiC涂层。这里的浸渍溶液是陶瓷先驱体为主要成分的溶液。