锑化铟

中文名称：锑化铟^[1]

英文名称：Indium antimonide

英文别名：Indiumantimonideblackxtl; Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM; antimony; indium(+3) cation; stibanylidyneindium

CAS号：1312-41-0

EINECS号：215-192-3

分子式：InSb

分子量：236.578

熔点：535℃

密度：5.76g/cm3

制备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。

用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶, 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。

安全性：S61

危险品标志：Xn,N

锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)

共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。