电子线路基础

书 名: 电子线路基础
　　作　者：王成华 胡志忠
　　 出版社： 清华大学出版社
　　出版时间： 2008年11月
　　 ISBN: 9787302183181
　　开本： 16开
　　定价: 49.00 元

《 电子线路基础》适应 现代电子技术的飞速发展，对传统 教学内容进行了较大幅度的更新，引入了 电流模电路、模拟可编程器件、 电子设计自动化等内容，并引入了逻辑 门电路和 模数、 数模转换电路。全书共分为12章，内容包括：电子线路元器件、放大器基础、放大器的 频率响应、 集成运算放大器与模拟 乘法器、 反馈放大器、 模拟信号运算与处理电路、功率电路、逻辑门电路、波形产生与变换电路、模数和 数模转换电路、电流模电路、 可编程模拟器件原理与应用。 《电子线路基础》可作为高等院校 电子信息、 电气工程、 自动控制和计算机等各专业的教材，也可作为相关工程技术人员的参考书。

王成华， 南京航空航天大学信息科学与技术学院教授， 博士生导师，副院长。1987年研究生毕业于东南大学无线电系，1987年至今在 南京航空航天大学工作，历任助教、讲师、副教授、教授，其中1996.9—1997.9受教育部派遣，在 俄罗斯莫斯科航空学院做访问学者；兼任教育部电子电气基础课程教学指导委员会委员，(南航)国家工科基础课程电工电子教学基地主任，(南航)国家 电工电子实验教学示范中心主任。多年来一直从事 电路与系统的教学与研究工作，主持科研项目10余项，在国内外期刊发表论文50余篇，指导硕士研究生30余人，主编出版教材6部，获得省部级以上教学科研奖励和荣誉10余项，是“电子线路” 国家精品课程负责人。获得的主要荣誉与奖励有： 江苏省教学名师， 国防科工委委属高校优秀教师，国防科技工业“511人才工程”学术技术带头人。

第1章 电子线路元器件
　　第2章 放大器基础
　　第3章 放大器的 频率响应
　　第4章 集成运算放大器与 模拟乘法器
　　第5章 反馈放大器
　　第6章 模拟信号运算与处理电路
　　第7章 功率电路
　　第8章 逻辑 门电路
　　第9章 波形产生与变换电路
　　第10章 数模和 模数转换电路
　　第11章 电流模电路
　　第12章 可编程模拟器件原理与应用
　　参考文献
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　　作　者： 高文焕， 李冬梅　编
　　出 版 社： 高等教育出版社
　　出版时间： 2006-6-1
　　字　数： 640000
　　页　数： 525
　　定价：38.80
　　I S B N ： 9787040160307
　　

　　根据近年来 电子技术的新发展和教学改革与实践，本书对第一版进行了全面的修订。修订时，注意保持多年来形成的比较成熟的课程体系，精练了基础内容，加强了 MOS器件和 MOS集成电路方面的介绍，适当扩宽了知识面，尽量反映近年来 模拟集成电路在理论和应用等方面的新成果，力图为正确使用和设计模拟集成电路芯片打好基础。书中改编与新增了较多的例题与习题，并注意与教学内容匹配，新增了习题参考答案，以便于教学。
　　全书的主要内容包括： 半导体二极管与 双极型晶体管， 场效应晶体管，双极型模拟集成电路的基本单元电路，MOS模拟集成电路的基本单元电路，反馈 放大电路，集成运算放大器及其基本应用电路，电流模 电路基础，脉冲波形的产生与处理电路以及 模数转换器和数模转换器等。
　　本书可作为高等学校电子信息、通信类及其它相近专业本科生的教材，也可供从事电子技术工作的 工程技术人员参考。
　　

　　第1章　半导体二极管与双极型晶体管
　　1.1　半导体中的 载流子及其运动
　　1.1.1　 本征半导体
　　1.1.2　 杂质半导体
　　1.1.3　半导体中载流子的运动
　　1.2　PN结
　　1.2.1　 动态平衡情况下的 PN结
　　1.2.2 PN结的伏安特性
　　1.2.3 PN结的温度特性
　　1.2.4 PN结的 反向击穿特性
　　1.2.5 PN结的 电容效应
　　1.3　半导体二极管
　　1.3.1　二极管的结构
　　1.3.2　二极管的伏安特性
　　1.3.3　二极管的主要参数
　　1.3.4　二极管的 等效电阻
　　1.3.5　二极管的模型
　　1.3.6　二极管电路的分析方法
　　1.3.7　二极管应用电路举例
　　1.4　双极型晶体管
　　1.4.1　晶体管的结构
　　1.4.2　放大状态下晶体管的工作原理
　　1.4.3　晶体管的Ebers-Moll模型
　　1.4.4　晶体管的特性曲线
　　1.4.5　温度对晶体管特性的影响
　　1.4.6　晶体管的主要参数
　　1.4.7　晶体管的应用原理
　　1.5　模拟集成电路中的元件
　　1.5.1　集成NPN型晶体管
　　1.5.2　集成 PNP型晶体管
　　1.5.3　集成电路中的二极管
　　1.5.4　集成电路中的电阻和电容
　　1.5.5　集成电路中元器件的特点
　　习题
　　第2章　场效应晶体管
　　2.1　 MOS场效应管
　　2.1.1 N沟道增强型MOS场效应管
　　2.1.2 N沟道耗尽型MOS场效应管
　　2.1.3 P沟道MOS场效应管
　　2.1.4 MOS场效应管的模型
　　2.2　结型 场效应管
　　2.2.1　 结型场效应管的结构
　　2.2.2 N沟道结型场效应管的工作原理
　　2.2.3 N沟道结型场效应管的特性曲线与电流方程
　　2.2.4　结型场效应管的模型
　　2.3　场效应管的主要参数
　　2.4　场效应管的应用原理
　　2.4.1　场效应管放大电路
　　2.4.2　场效应管开关电路
　　2.4.3　场效应管 电流源
　　习题
　　第3章 双极型模拟集成电路的基本单元电路
　　3.1　基本共 发射极放大电路的组成及工作原理
　　3.1.1　基本 共发射极放大电路的组成
　　3.1.2　基本共发射极放大电路的工作原理
　　3.2　放大电路的主要性能指标
　　3.2.1　 输入阻抗和 输出阻抗
　　3.2.2　增益
　　3.2.3　频率响应
　　3.2.4　 非线性失真
　　3.2.5　最大输出幅度
　　3.2.6　 最大输出功率与效率
　　3.3　放大电路的分析方法
　　3.3.1　图解法
　　3.3.2　等效电路法
　　3.4　 共集电极放大电路与共 基极放大电路
　　3.4.1　共集电极放大电路
　　3.4.2　 共基极放大电路
　　……
　　第4章　MOS模拟集成电路的基本单元电路
　　第5章　 反馈放大电路
　　第6章　集成运算放大器及其基本应用电路　
　　第7章　电流模电路基础
　　第8章　脉冲波形的产生与处理电路
　　第9章　模数转换器与数模转换器
　　部分习题参考答案
　　参考文献

《电子线路基础》是电子信息学科基础课程系列教材之一。兼顾分立器件与集成电路的内容。强调分立器件的工作原理，特性曲线，性能参数，数学模型，同时讲清集成电路组成，强调集成电路的应用。
强调由三极管、场效应管构成放大电路的基本概念，基本工作原理和基本分析方法，为学习集成电路打下坚实基础。
强调反馈的基本概念与深度负反馈放大器性能指标的估算，非深度负反馈放大器的计算则利用电路仿真软件完成。
正确处理与数字电路内容的衔接。将门内部电路．555芯片、波形变换电路等电路级内容和A，D、D，A转换器归入模拟电路部分讨论，数字电路从布尔代数、逻辑关系开始讨论。
引入了电流模电路，在系统可编程模拟器件、电路分析与设计自动化等模拟电路新技术。
以TI公司的模拟器件作为典型电路进行讨论与分析，同时介绍TI公司一些最新的模拟技术与器件。

除电阻、电容、电感元件外，常用的电子线路元器件有二极管、三极管和场效应管等。本章从半导体的基础知识和PN结人手，讨论半导体二极管、半导体三极管、结型场效应管、绝缘栅型场效应管的工作原理、特性曲线、性能参数和等效模型，为后续章节应用半导体元器件构成各种电子电路打下基础。同时还简要介绍集成器件及其特点。
1.1 基础知识
1.1.1导体、绝缘体和半导体
在自然界中，有的物质很容易导电，如铜、铝、铁、银等，称之为导体；有的物质不导电，如塑料、陶瓷、石英、橡胶等，称之为绝缘体；此外，还有另一类物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间，称之为半导体。常用的半导体材料有硅(si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等，其中硅应用最广。
1.1.2本征半导体
本征半导体就是纯净且品格方向一致的半导体晶体。常用的半导体材料硅和锗的原子序数分别为14和32，相应的结构如图1.1.1(a)所示。它们的最外层电子都是4个，所以都是4价元素。外层的电子受原子核的束缚力最小，决定着物质的化学性质和物理性质，我们称之为价电子。研究半导体导电性能时常用价电子与惯性核组成的简化模型，惯性核由原子核和内层电子组成，带有4个正的电子电荷量，如图1.1.1(b)所示。

电子技术是20世纪发展最为迅速的领域之一。1947年，在美国贝尔实验室工作的物理学家Willam Shockley、Walter Brattain和John Bardeen成功地创造出第一个晶体管。1958年，美国德州仪器公司(TI)的Jack Kilby成功地将五个元件的移相振荡器制作在同一片半导体上，这标志着集成电路时代的到来。1962年，Steven Hofstein和Fredric Heiman在新泽西州普林斯顿的RCA实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。1965年Intel公司创始人Gorden Moore提出了著名的摩尔定律：集成电路的集成度，即芯片上晶体管的数目，每隔18个月增加一倍或每三年翻两番。40多年来，集成电路的规模几乎都是按照摩尔定律发展。1971年Intel公司开发了世界上第一个微处理器4004，含有大约2300个晶体管，每秒可以执行60000次操作。目前，世界集成电路技术已经进入纳米时代，全球多条90纳米线宽/l2英寸晶片直径的生产线用于规模化生产，基于70—65纳米线宽的生产技术已基本成形，Intel公司的CPU芯片已经采用45纳米的生产工艺，世界最高水平的单片集成电路芯片上所容纳的元器件数量已经达到80多亿个。
在电子系统中，模拟电路执行着与现实世界中的声、光、电、力等物理信号相对应的模拟电信号的产生、变换、放大、运算和处理功能，并常常将它们转换为可供数字电路处理的数字信号，再将经过处理的数字信号转换为能够被现实世界中的用户接受和理解的模拟信号。按照美国半导体行业协会(SIA)旗下的世界半导体贸易统计数字专刊(WSTS)的分类，模拟芯片主要分为两大类，一类是标准线性模拟芯片，其中主要包括放大器、接口电路、数据转换器、电源管理芯片以及射频芯片等；另一类是专用模拟芯片，亦即面向消费、计算机及外设、通信、汽车以及医疗等专门应用领域的芯片。