杨德仁

1964年出生于江苏省 扬州市，1985年 浙江大学金属材料热处理专业本科毕业；

1991年浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士；

1993年浙江大学材料科学与工程博士后流动站出站，晋升副教授，其间在 日本东北大学金属材料研究所访问研究。

1995年初赴德国FREIBERG工业大学工作，1997年5月被浙江大学特批晋升教授；

1998年初回国在硅材料国家重点实验室工作，任副主任，博士生导师。

2002年获国家杰出青年基金。

2005年获国家自然科学二等奖。

2017年11月，中国科学院发布2017年院士增选结果，杨德仁当选信息技术科学部院士。

2020年11月，荣获2020年全国先进工作者称号^[3]。

半导体光电材料。研究方向包括：

（1）超大规模集成电路用硅单晶材料的制备和缺陷工程；

（2）太阳能光电铸造多晶硅材料和化合物薄膜光电转换材料；

（3）纳米硅丝/管和其它一维纳米半导体材料；

（4）硅基光子晶体。

1． 中国电子学会学术委员会委员

2． 中国太阳能学会光伏分会理事

3． 《太阳能学报》杂志编委

4． 《太阳能》杂志编委

5． 《材料科学与工程》杂志编委

6． 中国科学院半导体所半导体材料重点实验室学术委员

7． 国务院学位委员会学科评审组成员