- 问答
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问 什么是集成吊顶? 有哪些类型?
永远追求 橛氲缙髂？椋??谱鞒杀曜脊娓竦目勺楹鲜侥？椋?沧笆奔?稍谝黄鸲?选５??虿荒苄】凑庵帧凹?伞钡男形??庵帧凹?伞钡奶氐闶鞘?置飨缘摹??.漂亮“顶”：区别于以往厨卫吊顶上生硬地安装浴霸或换气扇或照明灯后的效果，集成吊顶安装完毕后看到的不再是生硬组合，而是美观协调的顶部造型。2.功能“顶”：独立的取暖灯、独立的照明灯、独立的换气扇，可合理排布安装位置，克服了传统浴霸安装位置的尴尬，可将取暖灯安装在淋浴区正上方、照明灯安装在房间中间或洗手台的位置，换气扇安装在坐便器正上方，从而可使每一项功能都安放在了最需要的空间位置上。3.耐用“顶”： 传统的浴霸产品将很多功能硬性地结合为一身，并采用底壳包裹的形式。这样在使用过程中，由于功率非常高，机温也就随之升高，从而降低元器件的寿命。而集成吊顶各功能模块拆分之后，采用开放分体式的安装安装方式，使电器组件的寿命提升3倍以上。
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问 飞轮电池集成了哪些技术
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问 修煤气灶里的电磁阀多少钱
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问 煤气灶电磁阀多少钱
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问 集成芯片和基带芯片哪个好
骑着毛驴逛街 集成了基带部分的好，总体的成本比较将基带和AP分开要低很多，芯片的集成度比较高，目前市面上大部分是采用这样的集成的芯片，只有苹果是采用高通的基带+自己的应用处理器。当然如果这个芯片不做通信相关的业务的话，这个基带部分就浪费了。而且如果大家都采用一样的芯片的，手机的差异化就比较难做了，因为大家的东西都差不多。要表达的侧重点不同。 芯片就是芯片，一般是指你肉眼能够看到的长满了很多小脚的或者脚看不到，但是很明显的方形的那块东西。但是，芯片也包括各种各样的芯片，比如基带的、电压转换的等等。 处理器更强调功能，指的就是那块执行处理的单元，可以说是MCU、CPU等。 集成电路范围要广多了，把一些电阻电容二极管集成到一起就算是集成电路了，可能是一块模拟信号转换的芯片，也可能是一块逻辑控制的芯片，但是总得来说，这个概念更加偏向于底层的东西。 集成电路是指组成电路的有源器件、无源元件及其互连一起制作在半导体衬底上或绝缘基片上，形成结构上紧密联系的、内部相关的事例电子电路。它可分为半导体集成电路、膜集成电路、混合集常见基带处理器负责数据处理与储存，主要组件为DSP、微控制器、内存（如SRAM、Flash）等单元，主要功能为基带编码/译码、声音编码及语音编码 等。目前主流基带架构：DSP+ARM。目前的主流是将射频收发器(小信号部分)集成到手机基带中，未来射频前端也有可能集成到手机基带里。随着数字射频 技术的发展，射频部分被越来越多地集成到数字基带部分，电源管理则被更多地集成到模拟基带部分，而随着模拟基带和数字基带的集成越来越成为必然的趋势，射 频可能最终将被完全集成到手机基带芯片中。
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问 燃气灶减压阀怎么用?
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问 燃气灶里地电子点火装置是什么原理？
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问 你听说过超人牌燃气灶吗?
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问 集成块的命名法是什么?
fb0da8e57794 集成电路的命名 目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。（只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'>转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。 例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。 例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 〔美国〕 AM 模拟器件公司 〔美国〕 AD 仙童半导体公司 〔美国〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美国〕 I 英特西尔公司 〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司 〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM2一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管技术'>晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
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问 所有的燃气灶点火开关都—样吗?
8a063f0f2f84 不一样，而且灶具上没有“开关”这种东西。在现代技术体系中，开关特指接通或分断电流的器件；控制流体（包括液体和气体）通断和流向的器件，通称为阀门。灶具多用旋塞阀，同时由于灶具旋塞阀上配置了点火、熄火保护等功能装置，形成了一套综合性功能体，所以灶具上的旋塞阀通称为“家用燃气器具旋塞阀总成”，简称总成或点火总成。当前的灶具上，点火技术主要有压电式和脉冲式两种技术，熄火保护主要有热电偶和离子感应两种技术，灶具的点火总成理论上有4种技术组合（实际上是3种，不存在压电点火与离子感应组合）。3种技术组合，加上各自不同的结构搭配，灶具的旋塞阀总成是多种多样的，同一品牌各个型号间总成不通用的情形也很常见。
2条回答
scuzkb2 
Downey 
匿名用户 
f5c39b59f020 
98dc475d8926 
0b1742560d1e 
