位错增殖

位错增殖

disloeationmultiPlieation

位错增殖disloeationmultiplieation晶体中的位错在一定形式的运动中自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程能使位错增殖发生的特殊位错组态或构型称为位错源位错源的形式有许多种以弗兰克一里德源为例:设位错D在其滑移面上有两个不易动的钉扎点在应力作用下它可能经历由图a至图e的过程而产生出一个位错环自身又回到图a的状态如此循环不已每周产生出一个新的位错环实现位错增殖使这种位错源启动的临界应力依赖于此源的长度(即钉扎点之间的距离)及此位错的线张力一.厂一一一d几e奋毛1(三运动过程中的弗兰克里德源位错增殖机制的设想很好地解释了单晶体塑性形变中滑移带的出现即在一个晶面上进行大量滑移的实验事实用红外光技术曾在硅中用铜缀饰清晰地观察到弗兰克一里德组态的美丽图样位错增殖机制还有许多例如双交滑移机制极轴机制以及巴丁一赫林攀移机制蜷线位错增殖机制等分别在位错滑移晶体孪生材料相变以及位错攀移中起作用