电化学气相沉积

电化学气相沉积(EVD)法是CVD法的改进工艺。它是利用电势梯度把金属氧化物沉积在名孔的基片上形成电解质膜，膜的厚度一般在1~100μm之间。

电化学气相沉积方法制备的膜厚度均匀，附着力强，在不用较高沉积温度的基础上，每小时可使膜的厚度增长5~10pm,适用于制造各种问体氧化物燃料电池中各种厚度的膜，并且可以广泛使用多种金属氧化物作膜材。

其基本过程是在孔基片的两边分别通以金属卤化物和含氧气流，在高温低压下完成电化学沉积。

Tsutomaloroi利用EVD法将YSZ沉积到多孔的La0.85Sr0.15MnO3基片上，形成固体电解质薄膜，制备出SOFC阴极支撑的电解质薄膜。Etsell等人提出了极化电化学气相沉积法(PEVD)，使SOFC的复合电极具有更高的导电性、更长的耐久性。

为了制备Y2O3稳定的ZrO2膜，过程分为两个阶段。第一阶段是CVD过程，ZrCl4和YCl3在升华床中以一定的比例汽化，由载气(氩、氢)带至反应区；另一反应物氧和水蒸气则由基片的另一边通入。该反应器在真空条件下工作，压力为200Pa，反应物锆和钇的氯化物以及氩和氢、氧和水蒸气通过扩散进人基片孔内进行反应。

生成的Y2O3稳定的ZrQ2电解质沉积于孔内，孔被堵塞后进入第二阶段EVD过程。这时，由于孔已 反应第一阶段(CVD)封闭，反应物之间没有进一步发生反应。为了保持电中性，氧离子通过沉积的电解质进行电化学传递，从氧分压高的一侧(氧/水蒸气)向分压低的一侧(氯化物)迁移，迁移过来的氧再和金属氯化物反应使电解质生长。